IRF250P225 Infineon Technologies
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF250P225 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF250P225 за ціною від 240.12 грн до 579.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF250P225 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF250P225 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 49A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 96nC Kind of package: tube Technology: StrongIRFET™ |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF250P225 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF250P225 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 49A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 96nC Kind of package: tube Technology: StrongIRFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF250P225 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF250P225 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF250P225 | Виробник : International Rectifier |
N-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IRF250P225 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4897 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |