IRF2804 PBF
Код товару: 23326
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,002 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6450/160
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF2804 PBF за ціною від 65.87 грн до 259.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC On-state resistance: 2.3mΩ |
на замовлення 680 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 3627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 106.31 грн |
| 50+ | 101.11 грн |
| 100+ | 100.09 грн |
| 500+ | 86.51 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 133+ | 106.31 грн |
| 139+ | 101.11 грн |
| 141+ | 100.09 грн |
| 500+ | 86.51 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 122.68 грн |
| 121+ | 116.67 грн |
| 122+ | 115.50 грн |
| 500+ | 99.83 грн |
| 1000+ | 91.49 грн |
| 2000+ | 85.14 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 122.99 грн |
| 50+ | 116.96 грн |
| 100+ | 115.79 грн |
| 500+ | 100.09 грн |
| 1000+ | 91.72 грн |
| 2000+ | 85.36 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 107+ | 131.53 грн |
| 116+ | 121.31 грн |
| 117+ | 120.10 грн |
| 500+ | 97.39 грн |
| 1000+ | 88.81 грн |
| 2000+ | 81.44 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 159.22 грн |
| 500+ | 142.83 грн |
| 1000+ | 132.29 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 201.33 грн |
| 10+ | 118.60 грн |
| 50+ | 98.83 грн |
| 100+ | 91.42 грн |
| 250+ | 81.53 грн |
| 500+ | 75.77 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 230.92 грн |
| 50+ | 111.12 грн |
| 100+ | 100.32 грн |
| 500+ | 76.38 грн |
| 1000+ | 70.67 грн |
| 2000+ | 65.87 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 259.73 грн |
| 57+ | 249.84 грн |
| 100+ | 241.36 грн |
| 250+ | 225.68 грн |
| 500+ | 203.28 грн |
| 1000+ | 190.38 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| PIC12F675-I/P Код товару: 24826
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: PDIP-8
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 1KB,20MHz
Живлення, В: 2,0...5,5 В
Тип ядра: PIC12
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+125°С
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: PDIP-8
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 1KB,20MHz
Живлення, В: 2,0...5,5 В
Тип ядра: PIC12
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+125°С
УКТЗЕД: 8542 39 90 00
у наявності: 303 шт
- 280 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 72.00 грн |
| 10+ | 65.80 грн |
| 100+ | 58.30 грн |
| 2SC1815Y Код товару: 15198
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: DC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 80 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,15 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 700
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 80 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,15 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 700
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |










