IRF2804PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 107.27 грн |
| 50+ | 102.01 грн |
| 100+ | 100.99 грн |
| 500+ | 87.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2804PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.
Інші пропозиції IRF2804PBF за ціною від 65.19 грн до 265.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC On-state resistance: 2.3mΩ |
на замовлення 680 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 3627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 133+ | 107.27 грн |
| 139+ | 102.01 грн |
| 141+ | 100.99 грн |
| 500+ | 87.29 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 115+ | 123.78 грн |
| 121+ | 117.72 грн |
| 122+ | 116.54 грн |
| 500+ | 100.73 грн |
| 1000+ | 92.31 грн |
| 2000+ | 85.91 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.10 грн |
| 50+ | 118.01 грн |
| 100+ | 116.83 грн |
| 500+ | 100.98 грн |
| 1000+ | 92.54 грн |
| 2000+ | 86.13 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 107+ | 132.71 грн |
| 116+ | 122.40 грн |
| 117+ | 121.18 грн |
| 500+ | 98.26 грн |
| 1000+ | 89.61 грн |
| 2000+ | 82.17 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 221+ | 160.65 грн |
| 500+ | 144.11 грн |
| 1000+ | 133.48 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 199.59 грн |
| 10+ | 122.20 грн |
| 100+ | 104.28 грн |
| 500+ | 80.94 грн |
| 1000+ | 69.34 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 205.47 грн |
| 10+ | 121.03 грн |
| 50+ | 100.86 грн |
| 100+ | 93.30 грн |
| 250+ | 83.21 грн |
| 500+ | 77.33 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.60 грн |
| 50+ | 109.96 грн |
| 100+ | 99.28 грн |
| 500+ | 75.59 грн |
| 1000+ | 69.94 грн |
| 2000+ | 65.19 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 262.06 грн |
| 57+ | 252.08 грн |
| 100+ | 243.53 грн |
| 250+ | 227.70 грн |
| 500+ | 205.10 грн |
| 1000+ | 192.08 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.58 грн |
| 10+ | 170.24 грн |
| 100+ | 104.04 грн |
| 500+ | 87.28 грн |
| 1000+ | 80.30 грн |
| 2000+ | 75.41 грн |
| IRF2804PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







