IRF2804PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 84.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2804PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.
Інші пропозиції IRF2804PBF за ціною від 51.92 грн до 263.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 3474 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2804PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2804PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRF2804PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 84.45 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 318+ | 112.44 грн |
| 500+ | 101.20 грн |
| 1000+ | 93.32 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.31 грн |
| 10+ | 83.27 грн |
| 100+ | 62.30 грн |
| 500+ | 51.92 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 144.01 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 144.01 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.93 грн |
| 10+ | 107.71 грн |
| 50+ | 81.88 грн |
| 100+ | 69.03 грн |
| 500+ | 55.34 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 174.58 грн |
| 10+ | 86.02 грн |
| 50+ | 81.88 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 229.08 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 230.44 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 263.81 грн |
| 57+ | 253.76 грн |
| 100+ | 245.15 грн |
| 250+ | 229.22 грн |
| 500+ | 206.47 грн |
| 1000+ | 193.36 грн |
| IRF2804PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF2804PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)