Технічний опис IRF2804LPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF2804LPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF2804LPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF2804LPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





