Продукція > INFINEON > IRF2804STRL7PP
IRF2804STRL7PP

IRF2804STRL7PP INFINEON

INFN-S-A0012838097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+165.06 грн
500+137.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2804STRL7PP INFINEON

Description: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF2804STRL7PP за ціною від 101.79 грн до 349.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804s-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+173.86 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804s-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+173.86 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804s-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+173.86 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804s-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.91 грн
10+216.62 грн
25+204.61 грн
50+195.34 грн
100+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804s-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+338.37 грн
55+223.68 грн
100+187.90 грн
500+152.95 грн
1600+137.99 грн
3200+101.79 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804s-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+346.67 грн
53+233.28 грн
56+210.36 грн
100+113.66 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+349.92 грн
10+231.90 грн
100+165.06 грн
500+137.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2804s-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf2804s-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies IRF2804S-7P.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies IRF2804S-7P.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF2804S_7P_DataSheet_v01_01_EN-3362913.pdf MOSFETs MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf2804s-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.