IRF2804STRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 89.54 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2804STRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF2804STRLPBF за ціною від 86.65 грн до 253.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF2804STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 503 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF2804STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 114.86 грн |
| IRF2804STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 114.86 грн |
| IRF2804STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 130.93 грн |
| 2400+ | 117.47 грн |
| IRF2804STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 156.59 грн |
| IRF2804STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 188.65 грн |
| IRF2804STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 188.65 грн |
| 500+ | 169.67 грн |
| 1000+ | 156.62 грн |
| 10000+ | 135.01 грн |
| IRF2804STRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 221.30 грн |
| 10+ | 150.20 грн |
| 20+ | 131.22 грн |
| 50+ | 110.59 грн |
| 100+ | 97.38 грн |
| 200+ | 87.48 грн |
| 500+ | 86.65 грн |
| IRF2804STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 253.76 грн |
| 10+ | 159.47 грн |
| 50+ | 123.09 грн |
| 100+ | 104.51 грн |
| IRF2804STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)