IRF2804STRLPBF

IRF2804STRLPBF Infineon Technologies


infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+74.96 грн
1600+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2804STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF2804STRLPBF за ціною від 75.77 грн до 270.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+80.29 грн
1600+79.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2804pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+82.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+83.67 грн
1600+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.00 грн
10+136.27 грн
20+123.88 грн
50+106.54 грн
100+94.15 грн
200+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 726 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.86 грн
10+163.52 грн
20+148.66 грн
50+127.85 грн
100+112.98 грн
200+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.14 грн
10+154.61 грн
100+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+265.04 грн
10+189.44 грн
100+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF2804_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.10 грн
10+174.15 грн
100+105.45 грн
500+97.52 грн
800+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2804pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2804datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.