IRF2805PBF Infineon Technologies
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 50.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2805PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF2805PBF за ціною від 58.87 грн до 118.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2805PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 150nC On-state resistance: 4.7mΩ |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V |
на замовлення 6020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 150nC On-state resistance: 4.7mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2805PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2805PBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF2805PBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
|
IRF2805PBF Код товару: 186509
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |