Технічний опис IRF2805PBF
- MOSFET, N, 55V, 175A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.0047ohm
- Power Dissipation:330W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:175A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:4.7ohm
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:700A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF2805PBF за ціною від 24.56 грн до 279.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 957 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V |
на замовлення 4424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF2805PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 25.06 грн |
| 50+ | 24.81 грн |
| 100+ | 24.56 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 105.69 грн |
| 2000+ | 96.54 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 105.69 грн |
| 2000+ | 96.54 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 141.86 грн |
| 101+ | 140.44 грн |
| 119+ | 118.95 грн |
| 500+ | 102.96 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 98+ | 145.08 грн |
| 99+ | 143.64 грн |
| 118+ | 120.23 грн |
| 500+ | 103.42 грн |
| 1000+ | 94.79 грн |
| 2000+ | 80.66 грн |
| 5000+ | 79.87 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 145.57 грн |
| 50+ | 144.12 грн |
| 100+ | 120.64 грн |
| 500+ | 103.77 грн |
| 1000+ | 95.11 грн |
| 2000+ | 80.94 грн |
| 5000+ | 80.13 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 146.77 грн |
| 10+ | 72.80 грн |
| 25+ | 69.41 грн |
| 50+ | 66.87 грн |
| 500+ | 62.64 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 156.13 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.19 грн |
| 10+ | 169.84 грн |
| 100+ | 103.38 грн |
| 500+ | 86.50 грн |
| 1000+ | 80.17 грн |
| 2000+ | 75.95 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.20 грн |
| 50+ | 129.12 грн |
| 100+ | 116.56 грн |
| 500+ | 88.70 грн |
| 1000+ | 82.06 грн |
| 2000+ | 76.47 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 279.78 грн |
| 10+ | 141.12 грн |
| 100+ | 127.99 грн |
| 500+ | 95.99 грн |
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF2805PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.55 грн |








