IRF2805PBF

IRF2805PBF Infineon Technologies


irf2805pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2805PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF2805PBF за ціною від 58.99 грн до 215.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+82.55 грн
150+81.73 грн
500+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+91.42 грн
142+86.95 грн
500+85.87 грн
1000+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.44 грн
16+62.18 грн
42+58.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+96.20 грн
10+84.15 грн
100+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : Infineon Technologies irf2805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de928518eb Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 6145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.66 грн
50+76.91 грн
100+74.78 грн
500+69.07 грн
1000+68.12 грн
2000+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+105.79 грн
8000+96.67 грн
12000+89.95 грн
16000+81.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF2805_DataSheet_v01_01_EN-3362839.pdf MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.14 грн
10+82.47 грн
100+69.80 грн
1000+67.81 грн
2000+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+111.84 грн
10+97.83 грн
100+93.05 грн
500+88.61 грн
1000+77.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.33 грн
16+77.49 грн
42+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.49 грн
10+159.69 грн
100+127.06 грн
500+98.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irf2805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de928518eb Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+136.90 грн
500+123.62 грн
1000+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF Виробник : International Rectifier Corporation irf2805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de928518eb N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
на замовлення 29 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF
Код товару: 186509
Додати до обраних Обраний товар

irf2805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de928518eb Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.