Технічний опис IRF2805PBF
- MOSFET, N, 55V, 175A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.0047ohm
- Power Dissipation:330W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:175A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:4.7ohm
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:700A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF2805PBF за ціною від 24.45 грн до 268.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF2805PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 150nC On-state resistance: 4.7mΩ |
на замовлення 957 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V |
на замовлення 4431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF2805PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRF2805PBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF2805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |