Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF2805PBF

IRF2805PBF

IR_PartNumberingSystem.pdf
Код товару: 186509
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2805PBF

  • MOSFET, N, 55V, 175A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.0047ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:175A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:4.7ohm
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:700A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF2805PBF за ціною від 56.70 грн до 242.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+121.90 грн
129+109.79 грн
500+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 175A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 926 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.63 грн
10+109.20 грн
25+95.66 грн
50+79.57 грн
100+67.72 грн
250+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.80 грн
10+110.77 грн
50+84.25 грн
100+71.03 грн
500+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.23 грн
10+120.39 грн
100+109.04 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+227.23 грн
118+120.39 грн
130+109.04 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.31 грн
10+121.54 грн
100+109.47 грн
500+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON INFN-S-A0012838053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF International Rectifier irf2805pbf.pdf description MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
10+83.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+121.90 грн
129+109.79 грн
500+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description irf2805.pdf
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 175A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 926 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.63 грн
10+109.20 грн
25+95.66 грн
50+79.57 грн
100+67.72 грн
250+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description IR_PartNumberingSystem.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.80 грн
10+110.77 грн
50+84.25 грн
100+71.03 грн
500+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+227.23 грн
10+120.39 грн
100+109.04 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+227.23 грн
118+120.39 грн
130+109.04 грн
500+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+242.31 грн
10+121.54 грн
100+109.47 грн
500+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description IR_PartNumberingSystem.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description INFN-S-A0012838053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description irf2805pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+83.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.