Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF2805PBF

IRF2805PBF

IR_PartNumberingSystem.pdf
Код товару: 186509
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2805PBF

  • MOSFET, N, 55V, 175A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.0047ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:175A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:4.7ohm
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:700A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF2805PBF за ціною від 24.56 грн до 262.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.06 грн
50+24.81 грн
100+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.69 грн
2000+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.69 грн
2000+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.28 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.73 грн
10+106.72 грн
25+93.48 грн
50+77.76 грн
100+66.18 грн
250+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.88 грн
50+141.46 грн
100+118.40 грн
500+101.84 грн
1000+93.36 грн
2000+79.44 грн
5000+78.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.81 грн
100+142.39 грн
119+119.17 грн
500+102.51 грн
1000+93.97 грн
2000+79.96 грн
5000+79.16 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+156.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.11 грн
50+126.19 грн
100+113.91 грн
500+86.68 грн
1000+80.19 грн
2000+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON INFN-S-A0012838053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies Infineon_IRF2805_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF International Rectifier irf2805pbf.pdf description MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+83.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+25.06 грн
50+24.81 грн
100+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+105.69 грн
2000+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+105.69 грн
2000+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+116.28 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description irf2805.pdf
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+124.73 грн
10+106.72 грн
25+93.48 грн
50+77.76 грн
100+66.18 грн
250+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.88 грн
50+141.46 грн
100+118.40 грн
500+101.84 грн
1000+93.36 грн
2000+79.44 грн
5000+78.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+143.81 грн
100+142.39 грн
119+119.17 грн
500+102.51 грн
1000+93.97 грн
2000+79.96 грн
5000+79.16 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+156.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description IR_PartNumberingSystem.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.11 грн
50+126.19 грн
100+113.91 грн
500+86.68 грн
1000+80.19 грн
2000+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description INFN-S-A0012838053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description Infineon_IRF2805_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description irf2805pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.