Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IRF2805SPBF
IRF2805SPBF

IRF2805SPBF ROCHESTER ELECTRONICS

IRSDS11464-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2805SPBF - IRF2805 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2805SPBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF2805SPBF за ціною від 128.32 грн до 128.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2805SPBF IRF2805SPBF Виробник : Infineon Technologies irf2805spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de9aad18ed Description: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+128.32 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805SPBF IRF2805SPBF Виробник : Infineon / IR irf2805spbf-1228006.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 150nC
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805SPBF IRF2805SPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2805s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805SPBF IRF2805SPBF Виробник : Infineon Technologies irf2805spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de9aad18ed Description: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.