Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF2807STRLPBF

IRF2807STRLPBF

irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF2807STRLPBF за ціною від 55.37 грн до 221.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.58 грн
1600+66.53 грн
2400+63.83 грн
4000+57.06 грн
5600+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.90 грн
250+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
500+109.02 грн
1000+100.53 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.41 грн
10+101.58 грн
50+81.27 грн
100+74.49 грн
250+66.03 грн
500+60.95 грн
800+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.78 грн
10+136.68 грн
100+81.58 грн
500+66.53 грн
800+61.68 грн
2400+59.85 грн
4800+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.24 грн
10+140.30 грн
50+135.38 грн
100+89.90 грн
250+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 6741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.53 грн
10+137.82 грн
100+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+74.58 грн
1600+66.53 грн
2400+63.83 грн
4000+57.06 грн
5600+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+89.90 грн
250+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
292+121.13 грн
500+109.02 грн
1000+100.53 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+148.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+181.41 грн
10+101.58 грн
50+81.27 грн
100+74.49 грн
250+66.03 грн
500+60.95 грн
800+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF Infineon_IRF2807S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+215.78 грн
10+136.68 грн
100+81.58 грн
500+66.53 грн
800+61.68 грн
2400+59.85 грн
4800+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+218.24 грн
10+140.30 грн
50+135.38 грн
100+89.90 грн
250+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 6741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+221.53 грн
10+137.82 грн
100+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.