Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF2807STRLPBF
IRF2807STRLPBF

IRF2807STRLPBF Infineon Technologies

irf2807s.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2807STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF2807STRLPBF за ціною від 45.22 грн до 214.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.37 грн
1600+53.48 грн
2400+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+64.97 грн
2400+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.00 грн
2400+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.07 грн
250+79.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.74 грн
10+104.01 грн
20+47.60 грн
54+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.73 грн
10+114.25 грн
100+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF2807S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.93 грн
10+127.00 грн
100+76.01 грн
500+75.33 грн
800+52.55 грн
2400+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.08 грн
10+129.62 грн
20+57.12 грн
54+54.27 грн
1600+53.41 грн
2400+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.46 грн
10+138.41 грн
50+117.05 грн
100+88.07 грн
250+79.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.