IRF2807STRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 40.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2807STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF2807STRLPBF за ціною від 50.49 грн до 224.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2807STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF2807STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF2807STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF2807STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF2807STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF2807STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF2807STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 937 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF2807STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF2807STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF2807STRLPBF Код товару: 203787
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF2807STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF2807STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |