IRF2807ZPBF Infineon Technologies
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2807ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF2807ZPBF за ціною від 41.84 грн до 212.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2807ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2807ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2807ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2807ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2807ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF2807ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2807ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF2807ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 71nC Kind of package: tube |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF2807ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2807ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 71nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF2807ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC |
на замовлення 4701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF2807ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRF2807ZPBF Код товару: 58174
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|