Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF2807ZSTRLPBF
IRF2807ZSTRLPBF

IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies

irf2807zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+157.94 грн
500+142.61 грн
1000+130.83 грн
10000+112.70 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF2807ZSTRLPBF за ціною від 66.68 грн до 198.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF2807Z_DataSheet_v01_01_EN-3363040.pdf MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.33 грн
10+133.81 грн
100+84.30 грн
800+74.55 грн
2400+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF Виробник : Infineon irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.