Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF2807ZSTRLPBF
IRF2807ZSTRLPBF

IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies

irf2807zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+157.94 грн
500+142.61 грн
1000+130.83 грн
10000+112.70 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF2807ZSTRLPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF2807Z_DataSheet_v01_01_EN-3363040.pdf MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF INFINEON 1718470.pdf Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF INFINEON 1718470.pdf Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF Infineon irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF Infineon_IRF2807Z_DataSheet_v01_01_EN-3363040.pdf
IRF2807ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF 1718470.pdf
IRF2807ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF 1718470.pdf
IRF2807ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
Виробник: Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.