IRF2903ZPBF

IRF2903ZPBF Infineon Technologies


infineon-irf2903z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+91.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2903ZPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF2903ZPBF за ціною від 94.52 грн до 314.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2903ZPBF IRF2903ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2903z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBF IRF2903ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2903z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBF IRF2903ZPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS irf2903zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dec87318fd Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2903ZPBF - IRF2903Z - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+145.90 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBF IRF2903ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2903z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+148.38 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBF IRF2903ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF2903Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.93 грн
10+203.48 грн
100+132.32 грн
500+118.71 грн
1000+99.81 грн
2000+96.79 грн
5000+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBF IRF2903ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABD2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2903z.pdf?ci_sign=96164f8a9d156aa3fbdb1b02050d7b0006b8435e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBF IRF2903ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf2903zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dec87318fd Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2903ZPBF IRF2903ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABD2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2903z.pdf?ci_sign=96164f8a9d156aa3fbdb1b02050d7b0006b8435e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.