Інші пропозиції IRF2907ZPBF за ціною від 52.85 грн до 375.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | International Rectifier |
Description: IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk |
на замовлення 20886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC |
на замовлення 2 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2700+ | 52.85 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
на замовлення 20886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 140.28 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2705+ | 234.85 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 291.51 грн |
| 7+ | 141.95 грн |
| 19+ | 134.52 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 354.36 грн |
| 10+ | 252.76 грн |
| 100+ | 186.61 грн |
| 500+ | 173.69 грн |
| 1000+ | 144.90 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 354.36 грн |
| 57+ | 252.76 грн |
| 100+ | 186.61 грн |
| 500+ | 173.69 грн |
| 1000+ | 144.90 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 375.41 грн |
| 10+ | 243.06 грн |
| 100+ | 157.24 грн |
| 500+ | 136.76 грн |
| 1000+ | 115.55 грн |
| 2000+ | 114.82 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







