Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF2907ZPBF
IRF2907ZPBF

IRF2907ZPBF Infineon Technologies

infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2907ZPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF2907ZPBF за ціною від 97.40 грн до 368.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2907zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2755+136.36 грн
Мінімальне замовлення: 2755
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2907zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2700+145.67 грн
Мінімальне замовлення: 2700
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : International Rectifier IRSDS11470-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Description: IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
на замовлення 21176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+151.24 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.36 грн
10+190.19 грн
25+167.34 грн
50+151.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF2907Z_DataSheet_v01_01_EN-3362882.pdf MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.27 грн
10+210.87 грн
100+137.92 грн
250+137.13 грн
500+123.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.63 грн
10+237.01 грн
25+200.80 грн
50+181.21 грн
100+161.62 грн
200+154.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.17 грн
10+226.80 грн
100+143.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf2907zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+368.32 грн
53+243.01 грн
100+238.78 грн
200+162.48 грн
500+127.76 грн
1000+119.02 грн
2000+97.40 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF
Код товару: 125164
Додати до обраних Обраний товар

irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 IRSDS11470-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.