Інші пропозиції IRF2907ZPBF за ціною від 108.47 грн до 410.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | International Rectifier |
Description: IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk |
на замовлення 21176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 170A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF2907ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2700+ | 133.08 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
на замовлення 21176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 138.26 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2755+ | 151.84 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2705+ | 231.57 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 279.48 грн |
| 10+ | 194.01 грн |
| 25+ | 144.27 грн |
| 50+ | 129.34 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 354.03 грн |
| 56+ | 252.62 грн |
| 100+ | 186.55 грн |
| 500+ | 173.65 грн |
| 1000+ | 144.87 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 410.16 грн |
| 53+ | 270.61 грн |
| 100+ | 265.90 грн |
| 200+ | 180.94 грн |
| 500+ | 142.28 грн |
| 1000+ | 132.54 грн |
| 2000+ | 108.47 грн |
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF2907ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








