IRF2907ZPBF Infineon Technologies
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 112.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2907ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF2907ZPBF за ціною від 95.15 грн до 359.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2907ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF2907ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF2907ZPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk |
на замовлення 21176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF2907ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF2907ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF2907ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF2907ZPBF Код товару: 125164
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IRF2907ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB Polarisation: unipolar Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF2907ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF2907ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB Polarisation: unipolar Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |