IRF3007PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3007PBF - IRF3007 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 326+ | 74.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3007PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF3007PBF за ціною від 61.65 грн до 160.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3007PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3007PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3007PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3007PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3007PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF3007PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF3007PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF3007PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |