IRF300P226 Infineon Technologies
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 426.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF300P226 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.019 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF300P226 за ціною від 370.16 грн до 822.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF300P226 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P226 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF300P226 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF300P226 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P226 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.019 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P226 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P226 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRF300P226 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247AC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Mounting: THT Technology: StrongIRFET™ Polarisation: unipolar Gate charge: 191nC On-state resistance: 19mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 53A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 313W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRF300P226 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247AC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Mounting: THT Technology: StrongIRFET™ Polarisation: unipolar Gate charge: 191nC On-state resistance: 19mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 53A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 313W |
товару немає в наявності |