Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF300P226
IRF300P226

IRF300P226 Infineon Technologies

Infineon-IRF300P226-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016038801939199d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+680.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF300P226 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.019 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF300P226 за ціною від 666.50 грн до 1138.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineonirf300p226datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+889.19 грн
17+880.28 грн
25+806.00 грн
50+754.62 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies infineonirf300p226datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1138.42 грн
25+771.58 грн
50+731.84 грн
100+666.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 Infineon Technologies Infineon_IRF300P226_DataSheet_v02_01_EN-3362840.pdf MOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 INFINEON 2718692.pdf Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.019 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineonirf300p226datasheetv0201en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+889.19 грн
17+880.28 грн
25+806.00 грн
50+754.62 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 infineonirf300p226datasheetv0201en.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1138.42 грн
25+771.58 грн
50+731.84 грн
100+666.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 Infineon_IRF300P226_DataSheet_v02_01_EN-3362840.pdf
IRF300P226
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 2718692.pdf
IRF300P226
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.019 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.