IRF300P227

IRF300P227 Infineon Technologies


Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.00 грн
25+317.67 грн
100+266.37 грн
500+222.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF300P227 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF300P227 за ціною від 263.53 грн до 622.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : Infineon Technologies infineonirf300p227datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+547.42 грн
27+458.76 грн
50+358.71 грн
100+311.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+591.25 грн
5+585.27 грн
10+578.44 грн
50+323.70 грн
100+267.31 грн
250+265.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF300P227_DataSheet_v02_01_EN-3362709.pdf MOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+622.90 грн
10+564.08 грн
25+340.46 грн
100+284.86 грн
400+263.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf300p227-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED887AB2225E6692A18&compId=IRF300P227.pdf?ci_sign=5c942898fab40cc8874ca0703a86883c323b92ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 313W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED887AB2225E6692A18&compId=IRF300P227.pdf?ci_sign=5c942898fab40cc8874ca0703a86883c323b92ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 313W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.