IRF300P227

IRF300P227 Infineon Technologies


Infineon-IRF300P227-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb678da7c74 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.32 грн
25+315.76 грн
100+264.77 грн
500+220.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF300P227 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF300P227 за ціною від 253.93 грн до 585.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf300p227-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+555.84 грн
24+528.25 грн
50+350.54 грн
100+283.25 грн
200+257.20 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004165546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+585.36 грн
5+571.37 грн
10+556.55 грн
50+343.26 грн
100+265.34 грн
250+259.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF300P227_DataSheet_v02_01_EN-3362709.pdf MOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.66 грн
10+527.50 грн
25+328.06 грн
100+274.48 грн
400+253.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf300p227-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf300p227-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf300p227-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED887AB2225E6692A18&compId=IRF300P227.pdf?ci_sign=5c942898fab40cc8874ca0703a86883c323b92ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED887AB2225E6692A18&compId=IRF300P227.pdf?ci_sign=5c942898fab40cc8874ca0703a86883c323b92ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.