IRF300P227 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 538.00 грн |
| 5+ | 532.86 грн |
| 10+ | 526.86 грн |
| 50+ | 286.38 грн |
| 100+ | 236.45 грн |
| 250+ | 234.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF300P227 INFINEON
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF300P227 за ціною від 224.00 грн до 624.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF300P227 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P227 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P227 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P227 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRF300P227 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247AC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Mounting: THT Technology: StrongIRFET™ Polarisation: unipolar Gate charge: 107nC On-state resistance: 40mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 35A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 313W |
товару немає в наявності |