IRF300P227 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 570.34 грн |
| 25+ | 327.51 грн |
| 100+ | 274.61 грн |
| 500+ | 228.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF300P227 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF300P227 за ціною від 274.33 грн до 648.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF300P227 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P227 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P227 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF300P227 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRF300P227 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 300V Drain current: 35A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 107nC On-state resistance: 40mΩ Kind of package: tube Technology: StrongIRFET™ |
товару немає в наявності |