Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3205LPBF

IRF3205LPBF Infineon Technologies

Name: IRF3205LPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 40507526-5
Price: 35126.70 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
389+	90.30 грн
500+	81.28 грн
1000+	74.96 грн

Мінімальне замовлення: 389 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF3205LPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3205LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF3205LPBF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IRF3205LPBF	Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	IRF3205LPBF	INFINEON	Description: INFINEON - IRF3205LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IRF3205LPBF

irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF3205LPBF

INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.