IRF3205PBF IR/Infineon
Код товару: 25094
15
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR/Infineon
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності 1540 шт:
1361 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
64 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF3205PBF за ціною від 38.23 грн до 193.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 28488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 37238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 26321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF3205PBF |
IRF3205PBF Транзисторы |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF3205PBF | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 55V, 98A, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRF3205PBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V, 110A, TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 146nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF4905PBF Код товару: 22366
14
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 82834 шт
74539 шт - склад
292 шт - РАДІОМАГ-Київ
5059 шт - РАДІОМАГ-Львів
1986 шт - РАДІОМАГ-Харків
958 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
292 шт - РАДІОМАГ-Київ
5059 шт - РАДІОМАГ-Львів
1986 шт - РАДІОМАГ-Харків
958 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| IRFZ44NPBF Код товару: 35403
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1621 шт
1544 шт - склад
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| L7812CV Код товару: 29158
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 2 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 2 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
у наявності: 4031 шт
3875 шт - склад
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.50 грн |
| 10+ | 9.40 грн |
| 100+ | 8.50 грн |
| 1000+ | 7.90 грн |
| Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Код товару: 123772
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 16900 шт
12989 шт - склад
980 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Львів
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
931 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
980 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Львів
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
931 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |





