IRF3205PBF (IR) - Транзисторы - Полевые N-канальные

IRF3205PBF

Код товара: 25094

Производитель: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a

IRSDS11472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

В наличии/под заказ
360 шт - склад Киев
248 шт - РАДИОМАГ-Киев
46 шт - РАДИОМАГ-Львов
25 шт - РАДИОМАГ-Харьков
67 шт - РАДИОМАГ-Одесса
1 шт - ожидается

1+	27.5 грн
10+	25.9 грн
100+	24.7 грн

Техническое описание IRF3205PBF

Цена IRF3205PBF от 18.8 грн до 112.49 грн

IRF3205PBF
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf

под заказ 60400 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)

11+	21.46 грн

IRF3205PBF
Производитель: INFIN

под заказ 12768 шт
срок поставки 16-23 дня (дней)

8+	53.61 грн
13+	48.93 грн
73+	42.21 грн
300+	40.13 грн

IRF3205PBF
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

под заказ 6241 шт
срок поставки 9-28 дня (дней)

8+	54.55 грн
10+	42.12 грн
100+	30.41 грн
500+	25.19 грн
1000+	18.8 грн

IRF3205PBF
Производитель: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

под заказ 350 шт
срок поставки 9-28 дня (дней)

8+	54.72 грн
10+	42.23 грн
100+	30.48 грн

IRF3205PBF
Производитель: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

под заказ 9872 шт
срок поставки 7-22 дня (дней)

1+	72.69 грн
10+	64.8 грн
100+	50.53 грн
500+	37.72 грн
1000+	33.09 грн

IRF3205PBF
Производитель: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC

Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-1732530.pdf

под заказ 29521 шт
срок поставки 8-21 дня (дней)

1+	84.84 грн
10+	75.42 грн
100+	50.86 грн
500+	41.98 грн

IRF3205PBF
Производитель: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB

под заказ 4 шт
срок поставки 2-3 дня (дней)

7+	88.73 грн
10+	82.81 грн
100+	76.91 грн

IRF3205PBF
Производитель: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Power MOSFET, N Channel, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.008
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 150
Continuous Drain Current Id: 110
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 55
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

под заказ 3324 шт
срок поставки 10-18 дня (дней)

6+	112.49 грн
10+	93.44 грн
100+	69.04 грн
500+	53.22 грн

IRF3205PBF
Производитель:
IRF3205PBF

под заказ 1 шт
срок поставки 2-3 дня (дней)

IRF3205PBF
Производитель:
IRF3205 75 A, 55 V, N-CH, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB