Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3205PBF IR/Infineon
IRF3205PBF

IRF3205PBF IR/Infineon

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Код товару: 25094
Виробник: IR/Infineon
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності 5666 шт:
5388 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
147 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3205PBF за ціною від 29.29 грн до 145.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+43.44 грн
500+43.09 грн
1000+40.04 грн
3000+35.76 грн
10000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
10000+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.53 грн
500+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.28 грн
10+65.21 грн
30+31.97 грн
81+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.93 грн
10+81.26 грн
30+38.36 грн
81+36.35 грн
10000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 16824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.79 грн
50+57.18 грн
100+56.26 грн
500+47.07 грн
1000+43.20 грн
2000+39.96 грн
5000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 16638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.07 грн
10+101.21 грн
25+56.17 грн
100+54.41 грн
500+48.98 грн
1000+43.47 грн
2000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.62 грн
10+104.74 грн
100+64.65 грн
500+54.05 грн
1000+44.23 грн
5000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Виробник : Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+145.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a IRF3205PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

NE555P
Код товару: 26138
Додати до обраних Обраний товар

description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1450 шт
1397 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна
2+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
Додати до обраних Обраний товар

1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 36092 шт
29612 шт - склад
232 шт - РАДІОМАГ-Київ
776 шт - РАДІОМАГ-Львів
3595 шт - РАДІОМАГ-Харків
271 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1606 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+1.00 грн
17+0.60 грн
100+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250[F]
Код товару: 28540
Додати до обраних Обраний товар

TLP250[F]
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 20/1500 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
у наявності: 198 шт
173 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+66.00 грн
10+61.50 грн
100+56.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF
Код товару: 35403
Додати до обраних Обраний товар

irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1220 шт
1118 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Одеса
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.00 грн
100+13.50 грн
1000+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF
Код товару: 22366
Додати до обраних Обраний товар

irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1426 шт
1389 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 35 шт
35 шт - очікується
Кількість Ціна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.