Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3205STRLPBF
IRF3205STRLPBF

IRF3205STRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 53600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+31 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3205STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm.

Інші пропозиції IRF3205STRLPBF за ціною від 42.21 грн до 131.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 53600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+46.98 грн
2400+ 45.63 грн
9600+ 44.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 53600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+50.62 грн
2400+ 49.16 грн
9600+ 47.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.53 грн
250+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.81 грн
18+ 44.98 грн
50+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
177+66.07 грн
185+ 63.06 грн
207+ 56.27 грн
216+ 52.2 грн
500+ 48.16 грн
1600+ 42.33 грн
Мінімальне замовлення: 177
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.05 грн
5+ 73.29 грн
18+ 53.97 грн
50+ 50.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 8588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.62 грн
10+ 87.85 грн
100+ 60.12 грн
800+ 47.36 грн
2400+ 47.23 грн
9600+ 46.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+105.81 грн
10+ 84.95 грн
50+ 72.95 грн
100+ 56.53 грн
250+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.4 грн
10+ 93.07 грн
100+ 74.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205STRLPBF Виробник : Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.95 грн
10+ 113.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній