на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.37 грн |
| 10+ | 118.60 грн |
| 100+ | 71.09 грн |
| 500+ | 60.15 грн |
| 1000+ | 48.57 грн |
| 2000+ | 47.31 грн |
| 5000+ | 45.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V.
Інші пропозиції IRF3205ZPBFAKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF3205ZPBFAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRF3205ZPBFAKSA1 |
товару немає в наявності |
||
| IRF3205ZPBFAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRF3205ZPBFAKSA1 |
товару немає в наявності |
||
|
IRF3205ZPBFAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |

