IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.37 грн
10+118.60 грн
100+71.09 грн
500+60.15 грн
1000+48.57 грн
2000+47.31 грн
5000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3205ZPBFAKSA1 Infineon Technologies

MOSFETs IR FET UP TO 60V.

Інші пропозиції IRF3205ZPBFAKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205ZPBFAKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f IRF3205ZPBFAKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFAKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f IRF3205ZPBFAKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFAKSA1 IRF3205ZPBFAKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.