Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3205ZSTRLPBF
IRF3205ZSTRLPBF

IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies

irf3205zpbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF3205ZSTRLPBF за ціною від 44.80 грн до 182.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.78 грн
1600+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+56.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.29 грн
10+84.35 грн
100+60.44 грн
250+60.29 грн
800+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.01 грн
10+80.73 грн
100+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.29 грн
10+104.12 грн
50+91.42 грн
100+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.37 грн
10+99.04 грн
20+47.16 грн
54+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.85 грн
10+123.42 грн
20+56.60 грн
54+53.77 грн
1600+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.