Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3205ZSTRLPBF

IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies

Name: IRF3205ZSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 29247849-3
Price: 47280.00 UAH
Availability: InStock

irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	59.10 грн
1600+	52.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF3205ZSTRLPBF за ціною від 51.74 грн до 204.09 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	59.97 грн
1600+	57.06 грн
2400+	55.55 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	64.99 грн
1600+	61.84 грн
2400+	60.20 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	83.66 грн
250+	75.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
295+	110.46 грн
500+	99.41 грн
1000+	91.68 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

на замовлення 139 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	166.53 грн
10+	76.90 грн
50+	67.60 грн
100+	63.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V

на замовлення 2011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	176.11 грн
10+	109.36 грн
100+	74.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
69+	189.55 грн
100+	189.07 грн
250+	181.87 грн
500+	167.98 грн

Мінімальне замовлення: 69

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg

на замовлення 1156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	190.83 грн
10+	121.90 грн
100+	72.31 грн
500+	59.53 грн
800+	51.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	199.58 грн
10+	139.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	202.29 грн
10+	131.86 грн
50+	111.38 грн
100+	83.66 грн
250+	75.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	204.09 грн
10+	203.59 грн
25+	203.09 грн
100+	195.34 грн
250+	180.43 грн
500+	172.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.