Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3205ZSTRLPBF

IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies

Name: IRF3205ZSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 29247849-3
Price: 49728.00 UAH
Availability: InStock

irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	62.16 грн
1600+	55.43 грн
2400+	53.18 грн
4000+	47.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF3205ZSTRLPBF за ціною від 51.50 грн до 211.16 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	87.06 грн
250+	78.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	96.87 грн
1600+	89.72 грн
2400+	86.07 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	103.65 грн
1600+	95.99 грн
2400+	92.09 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
295+	109.96 грн
500+	98.96 грн
1000+	91.27 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	165.78 грн
10+	76.55 грн
50+	67.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V

на замовлення 4387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	184.75 грн
10+	115.00 грн
100+	78.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
69+	188.69 грн
100+	188.22 грн
250+	181.05 грн
500+	167.22 грн

Мінімальне замовлення: 69

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg

на замовлення 1114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	189.96 грн
10+	121.35 грн
100+	71.98 грн
500+	59.26 грн
800+	51.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	198.68 грн
10+	139.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	203.17 грн
10+	202.67 грн
25+	202.17 грн
100+	194.46 грн
250+	179.61 грн
500+	172.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	211.16 грн
10+	136.97 грн
50+	115.77 грн
100+	87.06 грн
250+	78.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF3205ZSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.