Технічний опис IRF330 IR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; 75W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 5.5A, Power dissipation: 75W, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції IRF330
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF330 | Виробник : Infineon / IR | MOSFET |
товар відсутній |
|
 |
IRF330 | Виробник : Infineon (IRF) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5.5A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |