
IRF341 Harris Corporation

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
204+ | 106.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF341 Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF341 за ціною від 106.06 грн до 137.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF341 | Виробник : International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 2744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
IRF341 | Виробник : HARRIS |
![]() |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IRF341 | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товару немає в наявності |