IRF3415PBF

IRF3415PBF


irf3415pbf-datasheet.pdf
Код товару: 34305
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності 51 шт:

42 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3415PBF за ціною від 49.02 грн до 176.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+81.81 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+107.32 грн
144+91.13 грн
500+80.32 грн
1000+67.52 грн
3000+57.48 грн
5000+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.32 грн
10+83.95 грн
50+73.14 грн
100+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.67 грн
10+91.32 грн
100+64.70 грн
500+55.24 грн
1000+50.96 грн
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.62 грн
10+114.62 грн
100+97.33 грн
500+82.72 грн
1000+66.77 грн
3000+58.94 грн
5000+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.38 грн
10+104.61 грн
50+87.77 грн
100+82.79 грн
250+78.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.34 грн
10+109.89 грн
100+75.56 грн
500+57.16 грн
1000+52.74 грн
2000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415PBF - MOSFET, N-KANAL, 150V, 43A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.65 грн
10+94.26 грн
100+82.98 грн
500+69.35 грн
1000+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFB4115PBF
Код товару: 37473
Додати до обраних Обраний товар

irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
IRFB4115PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
52 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+93.50 грн
10+84.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Код товару: 3397
Додати до обраних Обраний товар

HI_Voltage_070726.pdf
4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 4,7 nF
Номін.напруга: 2k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 mm
Part Number: KF3D472Z-L516BD8.5
у наявності: 1591 шт
1489 шт - склад
47 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
13+4.00 грн
14+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
0,33 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R33)
Код товару: 3296
Додати до обраних Обраний товар

SQP_080911.pdf
0,33 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R33)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 0,33 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
у наявності: 392 шт
319 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE15CA
Код товару: 3237
Додати до обраних Обраний товар

p6ke15ca-1011824.pdf
P6KE15CA
Виробник: YJ/Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 15 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 12,8 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 354 шт
233 шт - склад
59 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
200 шт - очікується
Кількість Ціна
10+5.00 грн
12+4.40 грн
100+3.80 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
UC3842AN (DIP-8)
Код товару: 3097
Додати до обраних Обраний товар

UC3842A,43A,UC2842A,43A.pdf
UC3842AN (DIP-8)
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: Загального використування
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: 0…+70°C
у наявності: 105 шт
100 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
4+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.