Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3415PBF
IRF3415PBF

IRF3415PBF

irf3415pbf-datasheet.pdf
Код товару: 34305
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,042 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
  • 34 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3415PBF за ціною від 47.69 грн до 285.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.42 грн
10+93.48 грн
50+73.63 грн
100+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.29 грн
10+108.93 грн
100+74.36 грн
500+55.90 грн
1000+51.44 грн
2000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.79 грн
112+126.42 грн
500+101.90 грн
1000+90.67 грн
2000+78.03 грн
5000+68.77 грн
10000+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.45 грн
10+157.61 грн
100+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.45 грн
90+157.61 грн
126+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.83 грн
10+184.69 грн
100+127.05 грн
500+98.75 грн
1000+84.35 грн
2000+75.27 грн
5000+69.10 грн
10000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.42 грн
10+93.48 грн
50+73.63 грн
100+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.29 грн
10+108.93 грн
100+74.36 грн
500+55.90 грн
1000+51.44 грн
2000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+183.79 грн
112+126.42 грн
500+101.90 грн
1000+90.67 грн
2000+78.03 грн
5000+68.77 грн
10000+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+228.45 грн
10+157.61 грн
100+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+228.45 грн
90+157.61 грн
126+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+285.83 грн
10+184.69 грн
100+127.05 грн
500+98.75 грн
1000+84.35 грн
2000+75.27 грн
5000+69.10 грн
10000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFB4115PBF
Код товару: 37473
Додати до обраних Обраний товар
irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
IRFB4115PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 104 А
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
  • 31 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+93.50 грн
10+84.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822
Код товару: 172107
5 Додати до обраних Обраний товар
1N582x.pdf
1N5822
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 0,125 А
Падіння напруги Vf, В: 0,525 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 70 А
у наявності: 4675 шт
  • 4318 шт - склад
  • 98 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 64 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 195 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.20 грн
100+2.90 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Код товару: 3397
Додати до обраних Обраний товар
HI_Voltage_070726.pdf
4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 4,7 нФ
Номін. напруга: 2 кВ
ТКЄ (код діелектрика): Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 мм
Part Number: KF3D472Z-L516BD8.5
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1559 шт
  • 1469 шт - склад
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 55 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE15CA
Код товару: 3237
1 Додати до обраних Обраний товар
p6ke15ca-1011824.pdf
P6KE15CA
Виробник: YJ/Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 15 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 12,8 В
Струм витоку, Irm: 5 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Код УКТЗЕД: 8541 10 00 10
у наявності: 300 шт
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 190 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.40 грн
100+3.80 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UC3842AN (DIP-8)
Код товару: 3097
2 Додати до обраних Обраний товар
UC3842A,43A,UC2842A,43A.pdf
UC3842AN (DIP-8)
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: Загального використання
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: 0…+70°С
у наявності: 67 шт
  • 56 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.