IRF3415PBF
Код товару: 34305
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 49.50 грн |
| 100+ | 44.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF3415PBF за ціною від 15.06 грн до 264.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 49000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3415PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 133.3nC |
на замовлення 678 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3415PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF3415PBF |
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 96 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 15.06 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 15.06 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 64.08 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 117.60 грн |
| 10+ | 85.50 грн |
| 50+ | 80.42 грн |
| 100+ | 73.65 грн |
| 250+ | 66.87 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 86+ | 165.59 грн |
| 124+ | 114.35 грн |
| 500+ | 95.00 грн |
| 1000+ | 75.90 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.37 грн |
| 10+ | 124.26 грн |
| 100+ | 85.48 грн |
| 500+ | 64.66 грн |
| 1000+ | 59.65 грн |
| 2000+ | 55.45 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.83 грн |
| 10+ | 124.55 грн |
| 100+ | 76.65 грн |
| 500+ | 61.68 грн |
| 1000+ | 57.95 грн |
| 2000+ | 56.89 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 228.65 грн |
| 91+ | 155.18 грн |
| 128+ | 110.81 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 259.15 грн |
| 10+ | 165.99 грн |
| 100+ | 114.64 грн |
| 500+ | 91.83 грн |
| 1000+ | 70.44 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 264.19 грн |
| 10+ | 165.73 грн |
| 100+ | 117.33 грн |
| 500+ | 87.61 грн |
| 1000+ | 74.55 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRFB4115PBF Код товару: 37473
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 56 шт
33 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 93.50 грн |
| 10+ | 84.70 грн |
| 1N5822 Код товару: 172107
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 0,125
Падіння напруги, Vf: 0,525 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 70 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 0,125
Падіння напруги, Vf: 0,525 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 70 A
у наявності: 4861 шт
4430 шт - склад
122 шт - РАДІОМАГ-Київ
114 шт - РАДІОМАГ-Львів
195 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
122 шт - РАДІОМАГ-Київ
114 шт - РАДІОМАГ-Львів
195 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.20 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |
| 4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano) Код товару: 3397
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 4,7 nF
Номін.напруга: 2k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 mm
Part Number: KF3D472Z-L516BD8.5
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 4,7 nF
Номін.напруга: 2k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 mm
Part Number: KF3D472Z-L516BD8.5
у наявності: 1559 шт
1469 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |
| P6KE15CA Код товару: 3237
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 15 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 12,8 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 15 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 12,8 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 300 шт
58 шт - РАДІОМАГ-Київ
190 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
190 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.80 грн |
| 1000+ | 3.30 грн |
| UC3842AN (DIP-8) Код товару: 3097
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: Загального використування
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: 0…+70°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: Загального використування
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: 0…+70°C
у наявності: 69 шт
58 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 16.50 грн |
| 10+ | 14.90 грн |
| 100+ | 13.10 грн |












