IRF3415PBF
Код товару: 34305
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,042 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 49.50 грн |
| 100+ | 44.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF3415PBF за ціною від 47.80 грн до 238.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3415PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 42mΩ Gate charge: 133.3nC Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 383 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC |
на замовлення 3351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF3415PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF3415PBF |
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 96 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 135.72 грн |
| 10+ | 93.69 грн |
| 50+ | 73.79 грн |
| 100+ | 65.50 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 154.84 грн |
| 131+ | 108.02 грн |
| 500+ | 86.95 грн |
| 1000+ | 77.28 грн |
| 2000+ | 66.42 грн |
| 5000+ | 58.42 грн |
| 10000+ | 56.21 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 176.68 грн |
| 10+ | 109.17 грн |
| 100+ | 74.52 грн |
| 500+ | 56.03 грн |
| 1000+ | 51.56 грн |
| 2000+ | 47.80 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 216.18 грн |
| 10+ | 147.32 грн |
| 100+ | 105.84 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 216.18 грн |
| 97+ | 147.32 грн |
| 134+ | 105.84 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 238.32 грн |
| 10+ | 154.36 грн |
| 100+ | 107.69 грн |
| 500+ | 83.59 грн |
| 1000+ | 71.33 грн |
| 2000+ | 63.56 грн |
| 5000+ | 58.25 грн |
| 10000+ | 56.03 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF3415PBF |
![]() |
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| 1N5822 Код товару: 172107
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 0,125 А
Падіння напруги Vf, В: 0,525 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 70 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 0,125 А
Падіння напруги Vf, В: 0,525 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 70 А
у наявності: 3846 шт
- 3506 шт - склад
- 87 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 64 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 189 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.20 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |
| 4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano) Код товару: 3397
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 4,7 нФ
Номін. напруга: 2 кВ
ТКЄ (код діелектрика): Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 мм
Part Number: KF3D472Z-L516BD8.5
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 4,7 нФ
Номін. напруга: 2 кВ
ТКЄ (код діелектрика): Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 мм
Part Number: KF3D472Z-L516BD8.5
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1359 шт
- 1269 шт - склад
- 35 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 55 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 146 шт
- 146 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |
| P6KE15CA Код товару: 3237
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 15 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 12,8 В
Струм витоку, Irm: 5 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Код УКТЗЕД: 8541 10 00 10
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 15 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 12,8 В
Струм витоку, Irm: 5 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Код УКТЗЕД: 8541 10 00 10
у наявності: 292 шт
- 56 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 190 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 34 шт
- 34 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.80 грн |
| 1000+ | 3.30 грн |
| UC3842AN (DIP-8) Код товару: 3097
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: Загального використання
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: 0…+70°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: Загального використання
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: 0…+70°С
у наявності: 54 шт
- 43 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 10 шт
- 10 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.50 грн |
| 10+ | 14.90 грн |
| 100+ | 13.10 грн |
| 1,5 kOhm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-1K5R-Hitano) Код товару: 2720
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 1,5 кОм
Точність і ТКО: ±5%
P ном., Вт: 2 Вт
U роб., В: 500 В
Габарити: 11x4,0 mm; Ø виводу = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
-55...+125°С
УКТЗЕД: 8533 21 00 00
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 1,5 кОм
Точність і ТКО: ±5%
P ном., Вт: 2 Вт
U роб., В: 500 В
Габарити: 11x4,0 mm; Ø виводу = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
-55...+125°С
УКТЗЕД: 8533 21 00 00
у наявності: 2320 шт
- 2310 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 6 шт
- 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.00 грн |
| 1000+ | 1.60 грн |












