IRF3415STRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 85.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3415STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF3415STRLPBF за ціною від 58.90 грн до 267.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF3415STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF3415STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF3415STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC |
на замовлення 3738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF3415STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF3415STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |