Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3415STRLPBF

IRF3415STRLPBF Infineon Technologies

Name: IRF3415STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 30337-7
Price: 44104.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	55.13 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF3415STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF3415STRLPBF за ціною від 61.89 грн до 243.01 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	69.59 грн
1600+	68.91 грн
2400+	64.83 грн
9600+	61.89 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	74.10 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	74.33 грн
1600+	73.59 грн
2400+	69.24 грн
9600+	66.10 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	80.38 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 19200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	81.71 грн
1600+	81.46 грн
2400+	80.60 грн
9600+	76.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	109.84 грн
250+	99.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	130.96 грн
10+	111.68 грн
25+	110.56 грн
100+	91.99 грн
250+	84.33 грн
500+	65.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

на замовлення 1494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	221.27 грн
10+	138.58 грн
100+	95.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
56+	227.57 грн
82+	156.43 грн
83+	154.87 грн
111+	110.74 грн
250+	101.51 грн
500+	68.15 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC

на замовлення 3738 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	230.32 грн
10+	151.35 грн
100+	94.35 грн
500+	90.38 грн
800+	66.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	238.36 грн
10+	161.87 грн
50+	140.53 грн
100+	109.84 грн
250+	99.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
53+	243.01 грн
1000+	235.39 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF3415STRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.