Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3415STRLPBF
IRF3415STRLPBF

IRF3415STRLPBF Infineon Technologies

infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3415STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF3415STRLPBF за ціною від 71.19 грн до 291.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.28 грн
250+116.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.61 грн
10+124.04 грн
25+120.36 грн
100+100.29 грн
250+91.93 грн
500+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.61 грн
115+124.04 грн
118+120.36 грн
136+100.29 грн
250+91.93 грн
500+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.43 грн
10+137.67 грн
100+95.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+249.94 грн
84+169.40 грн
109+129.99 грн
500+103.52 грн
800+84.64 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.80 грн
10+161.30 грн
100+97.97 грн
500+82.46 грн
800+76.12 грн
2400+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.92 грн
10+193.24 грн
50+166.10 грн
100+128.28 грн
250+116.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+96.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+128.28 грн
250+116.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+146.61 грн
10+124.04 грн
25+120.36 грн
100+100.29 грн
250+91.93 грн
500+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
97+146.61 грн
115+124.04 грн
118+120.36 грн
136+100.29 грн
250+91.93 грн
500+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+220.43 грн
10+137.67 грн
100+95.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
57+249.94 грн
84+169.40 грн
109+129.99 грн
500+103.52 грн
800+84.64 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+250.80 грн
10+161.30 грн
100+97.97 грн
500+82.46 грн
800+76.12 грн
2400+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+291.92 грн
10+193.24 грн
50+166.10 грн
100+128.28 грн
250+116.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.