IRF3415STRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 57.97 грн |
| 1600+ | 51.62 грн |
| 2400+ | 49.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3415STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.
Інші пропозиції IRF3415STRLPBF за ціною від 73.79 грн до 285.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 3578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF3415STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRF3415STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 100.95 грн |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 100.95 грн |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 102.97 грн |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 103.48 грн |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 174.73 грн |
| 10+ | 108.07 грн |
| 100+ | 73.79 грн |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 248.23 грн |
| 10+ | 176.21 грн |
| 100+ | 128.94 грн |
| 500+ | 102.99 грн |
| 800+ | 78.99 грн |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 248.23 грн |
| 80+ | 176.21 грн |
| 109+ | 128.94 грн |
| 500+ | 102.99 грн |
| 800+ | 78.99 грн |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 285.09 грн |
| 10+ | 188.82 грн |
| 100+ | 132.73 грн |
| 500+ | 103.65 грн |
| 800+ | 90.13 грн |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 285.09 грн |
| 75+ | 188.82 грн |
| 106+ | 132.73 грн |
| 500+ | 103.65 грн |
| 800+ | 90.13 грн |
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF3415STRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)