Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3415STRLPBF
IRF3415STRLPBF

IRF3415STRLPBF Infineon Technologies

irf3415spbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3415STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF3415STRLPBF за ціною від 54.39 грн до 207.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+71.91 грн
1600+60.86 грн
2400+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+76.77 грн
1600+64.97 грн
2400+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.12 грн
250+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.31 грн
10+121.15 грн
100+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+182.20 грн
96+127.70 грн
100+126.89 грн
500+93.34 грн
800+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+183.92 грн
10+129.41 грн
25+128.69 грн
100+94.54 грн
250+86.66 грн
500+62.73 грн
1000+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+198.07 грн
88+139.37 грн
89+138.59 грн
116+101.81 грн
250+93.33 грн
500+67.55 грн
1000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.34 грн
10+138.57 грн
50+121.04 грн
100+96.12 грн
250+87.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN-3362826.pdf MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.49 грн
10+142.91 грн
100+93.02 грн
500+84.09 грн
800+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3415s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.