IRF350 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1648.59 грн |
| 10+ | 1508.12 грн |
| 20+ | 1428.71 грн |
| 50+ | 1266.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF350 NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF350 за ціною від 1620.87 грн до 2719.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF350 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF350 | Виробник : IR |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
IRF350 Код товару: 23682 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-3 Uds,V: 400 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||
 |
IRF350 | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 400V Single N-Channel Hi-Rel |
товар відсутній |
|||||||
 |
IRF350 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET |
товар відсутній |
|||||||
 |
IRF350 | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 150W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 14A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |