IRF3546MTRPBF

IRF3546MTRPBF Infineon Technologies


irf3546m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df3145191e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+248.15 грн
Мінімальне замовлення: 81
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3546MTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 41-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8), Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF3546MTRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF3546MTRPBF IRF3546MTRPBF Виробник : Infineon Technologies 977irf3546m.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 16A/20A 42-Pin QFN EP T/R
товар відсутній
IRF3546MTRPBF IRF3546MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf3546m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df3145191e Description: MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF3546MTRPBF IRF3546MTRPBF Виробник : Infineon / IR irf3546m-1732487.pdf MOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
товар відсутній