Технічний опис IRF3706SPBF IR
Description: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRF3706SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF3706SPBF | Виробник : IR |
 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF3706SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF3706SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |