Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3709PBF
IRF3709PBF

IRF3709PBF Infineon Technologies

irf3709pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8536193f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
487+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 487
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3709PBF Infineon Technologies

Description: IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V.

Інші пропозиції IRF3709PBF за ціною від 41.24 грн до 41.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF3709PBF IRF3709PBF Виробник : International Rectifier IRSDS10219-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
487+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 487
IRF3709PBF Виробник : Infineon irf3709pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8536193f IRSDS10219-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3709PBF IRF3709PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3709-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF3709PBF IRF3709PBF Виробник : Infineon Technologies irf3709pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8536193f Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
товар відсутній