IRF3709ZSTRRPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 62.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3709ZSTRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF3709ZSTRRPBF за ціною від 45.11 грн до 220.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF3709ZSTRRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 87A; 79W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 87A Power dissipation: 79W Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC |
товару немає в наявності |