Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3710SPBF
IRF3710SPBF

IRF3710SPBF

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Код товару: 43364
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 57 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 40
Примітка: 200
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
  • 4 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3710SPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3710SPBF IRF3710SPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF International Rectifier irf3710spbf.pdf MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF IRF3710SPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3165983.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF irf3710spbf.pdf
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3165983.pdf
IRF3710SPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

UC2843BD1
Код товару: 144625
3 Додати до обраних Обраний товар
cd00000966-1795510.pdf
UC2843BD1
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: імпульсні контролери, ШІМ-контролер
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
у наявності: 168 шт
  • 144 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55-C12
Код товару: 26387
1 Додати до обраних Обраний товар
BZX55.pdf
BZX55-C12
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8,4 мВ/K
у наявності: 288 шт
  • 122 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 99 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 67 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CTG
Код товару: 26154
1 Додати до обраних Обраний товар
description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Виробник: ON/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 100 В
Прямий струм (per leg) If, А: 20 А
Падіння напруги Vf, В: 0,8 В
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
у наявності: 234 шт
  • 159 шт - склад
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+23.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1nF 100V NP0 J(+/-5%) (R15N102J2AH5-L-Hitano)
Код товару: 18266
Додати до обраних Обраний товар
multilayer_ceramic_capaacitorsepoxy.pdf
1nF 100V NP0 J(+/-5%) (R15N102J2AH5-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 1 нФ
Номін. напруга: 100 В
ТКЄ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 5,08 мм
Part Number: R15N102J2AH5-L
у наявності: 182 шт
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 54 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF
Код товару: 11413
3 Додати до обраних Обраний товар
description ir2104-65702.pdf
IR2104STRPBF
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 0,13/0,27 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
у наявності: 101 шт
  • 70 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 7 шт
  • 7 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+68.50 грн
10+61.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.