Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3710SPBF

IRF3710SPBF

Name: IRF3710SPBF
Brand: IR
SKU: 43364
Price: 63.4 UAH
Availability: InStock

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949

Код товару: 43364

Виробник: IR
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD

у наявності 29 шт:

22 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	68 грн
10+	63.4 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції IRF3710SPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRF3710SPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube	товар відсутній
IRF3710SPBF	Виробник : International Rectifier HiRel Products	Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube	товар відсутній
IRF3710SPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V	товар відсутній
IRF3710SPBF	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC	товар відсутній
IRF3710SPBF	Виробник : Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86.7nC Kind of channel: enhanced	товар відсутній

З цим товаром купують

UC2843BD1
Код товару: 144625

Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: Switching Controllers PWM CONTROLLER
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 A
Fosc, kHz: 500 kHz

у наявності: 89 шт

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	20 грн
10+	18 грн

Батарейка 2/3AA літієва 3,6V 1шт. Xeno Energy XL-055F/AX
Код товару: 127729

Виробник: Xeno Energy
Акумулятори та батарейки > Батарейки
Матеріал: літієва (Li-SOCl2)
Розмір: 2/3AA / ER14335
Напруга, V: 3,6 V
Примітка: Ємність: 1650 мАгод; макс.струм: 40 мА; D=14,5мм, L=33,3мм; виводи: 2
Форма: Циліндрична
Ємність, mAh: 1650 мАгод

товар відсутній

100uF 63V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR101M63B 10X16) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3673

Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин

у наявності: 2502 шт

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	4.5 грн
10+	4.1 грн
100+	3.6 грн
1000+	3.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

LM2901D
Код товару: 3346

Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: SO-14
Функц.опис: Quad differential comparators
Udss,V: 36 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+125°C

у наявності: 231 шт

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	6.5 грн
10+	5.9 грн
100+	5.4 грн

74HC132D
Код товару: 2829

Виробник: TI
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Quadruple Positive-NAND Gates With Schmitt-Trigger
Монтаж: SMD
Аналог RUS: ТЛ3
Живлення,V: 5 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger

товар відсутній