IRF3710STRLPBF

IRF3710STRLPBF Infineon Technologies


infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3710STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm.

Інші пропозиції IRF3710STRLPBF за ціною від 44.89 грн до 145.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+70.36 грн
1600+ 57.49 грн
2400+ 54.61 грн
5600+ 49.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
163+71.96 грн
171+ 68.75 грн
191+ 61.34 грн
200+ 56.89 грн
500+ 52.24 грн
1600+ 46.22 грн
3200+ 44.89 грн
Мінімальне замовлення: 163
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+78.58 грн
250+ 67.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 16299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.66 грн
10+ 100.63 грн
100+ 80.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3363041.pdf MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 54960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.97 грн
10+ 102.88 грн
100+ 75.44 грн
250+ 73.44 грн
500+ 69.43 грн
800+ 50.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+145.29 грн
10+ 104.1 грн
50+ 94.36 грн
100+ 78.58 грн
250+ 67.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831
irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній