Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3710STRLPBF

IRF3710STRLPBF Infineon Technologies

Name: IRF3710STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 13997-7
Price: 31296.00 UAH
Availability: InStock

infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF3710STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF3710STRLPBF за ціною від 52.98 грн до 199.83 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF3710STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	62.06 грн
1600+	55.35 грн
2400+	53.30 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	63.93 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	68.27 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	91.97 грн
250+	83.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
289+	107.53 грн

Мінімальне замовлення: 289

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	132.06 грн
10+	87.94 грн
50+	74.14 грн
100+	68.33 грн
250+	60.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 437 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	158.47 грн
10+	109.58 грн
50+	88.97 грн
100+	82.00 грн
250+	72.80 грн
500+	66.03 грн
800+	61.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V

на замовлення 8054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	190.18 грн
10+	118.19 грн
100+	81.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC

на замовлення 22049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	192.46 грн
10+	124.69 грн
100+	78.22 грн
500+	72.57 грн
800+	52.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
65+	193.55 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	199.83 грн
10+	132.93 грн
50+	116.42 грн
100+	91.97 грн
250+	83.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : International Rectifier Corporation

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

на замовлення 25 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF3710STRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.