IRF3710STRLPBF

IRF3710STRLPBF Infineon Technologies


infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3710STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF3710STRLPBF за ціною від 53.83 грн до 214.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+62.68 грн
1600+55.91 грн
2400+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+85.15 грн
2400+81.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+109.82 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+109.82 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.48 грн
10+90.88 грн
50+76.62 грн
100+70.62 грн
250+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.78 грн
10+113.25 грн
50+91.95 грн
100+84.75 грн
250+75.24 грн
500+68.24 грн
800+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 11266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.22 грн
10+119.40 грн
100+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+206.52 грн
10+137.38 грн
50+120.32 грн
100+95.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 20414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.24 грн
10+132.55 грн
100+80.84 грн
500+79.16 грн
800+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+214.57 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.