Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3710ZSTRLPBF

IRF3710ZSTRLPBF

irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
Код товару: 218330
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3710ZSTRLPBF за ціною від 43.45 грн до 207.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.99 грн
1600+53.47 грн
2400+51.28 грн
4000+45.82 грн
5600+44.45 грн
8000+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.62 грн
250+75.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+114.20 грн
500+102.79 грн
1000+94.79 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 12208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.15 грн
10+111.35 грн
100+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.22 грн
10+119.96 грн
100+70.93 грн
500+54.03 грн
800+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.77 грн
10+129.81 грн
50+110.34 грн
100+83.62 грн
250+75.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+207.21 грн
99+142.16 грн
139+100.76 грн
500+74.86 грн
800+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Li-Ion 600mAh, 9V, "Крона" Quantum літій-іонний акумулятор USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Код товару: 193753
10 Додати до обраних Обраний товар
Li-Ion 600mAh, 9V, "Крона" Quantum літій-іонний акумулятор USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
+2
Виробник: Quantum
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: "Крона"
Ємність: 600 mAh
Форма: призматична
Напруга, V: 9 V
Відмінності: З роз'ємом USB typeC
у наявності: 12 шт
8 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+295.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Батарейка "Крона" літієва 9V 1шт. SAFT LS9V|06180E
Код товару: 155529
Додати до обраних Обраний товар
ls_9v31080-saft-datasheet.pdf
Батарейка "Крона" літієва 9V 1шт. SAFT LS9V|06180E
Виробник: SAFT
Батарейки
Матеріал: літій-тіоніл-хлорид (Li-SOCl2)
Розмір: "Крона"
Напруга, V: 9 V
Примітка: 1200 МАГ, Т.експлуатації-60... + 85 ° С
Форма: Призматична
Ємність, mAh: 1200 мАгод
у наявності: 164 шт
135 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+390.00 грн
10+365.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SN74HC02D
Код товару: 30050
3 Додати до обраних Обраний товар
description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74hc02
SN74HC02D
Виробник: TI
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SOIC-14
Опис: Logic Gates Quad 2-Input
Монтаж: SMD
Живлення,V: 2...6 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: NOR
у наявності: 812 шт
800 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.10 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HIP4081AIBZ
Код товару: 28771
Додати до обраних Обраний товар
hip4081a-datasheet
HIP4081AIBZ
Виробник: Intersil
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-20
Uc, V: 80 V
I o +/-, A: 2,5 A
V out, V: 9-15 V
T on/T off, ns: 40/30 ns
Примітка: Повний міст Vcc=15V
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+165.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.