Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3710ZSTRLPBF

IRF3710ZSTRLPBF

irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
Код товару: 218330
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3710ZSTRLPBF за ціною від 62.79 грн до 179.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+116.01 грн
500+104.41 грн
1000+96.29 грн
10000+82.79 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+116.01 грн
500+104.41 грн
1000+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+111.36 грн
50+84.76 грн
100+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
306+116.01 грн
500+104.41 грн
1000+96.29 грн
10000+82.79 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
306+116.01 грн
500+104.41 грн
1000+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.40 грн
10+111.36 грн
50+84.76 грн
100+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS138 (CJ, SOT-23)
Код товару: 186257
1 Додати до обраних Обраний товар
BSS138-JCET.pdf
BSS138 (CJ, SOT-23)
Виробник: CJ
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 27/
Монтаж: SMD
у наявності: 3145 шт
  • 2421 шт - склад
  • 199 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 172 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 153 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
16+1.30 грн
100+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Батарейка "Крона" літієва 9V 1шт. SAFT LS9V|06180E
Код товару: 155529
Додати до обраних Обраний товар
ls_9v31080-saft-datasheet.pdf
Батарейка "Крона" літієва 9V 1шт. SAFT LS9V|06180E
Виробник: SAFT
Батарейки
Матеріал: літій-тіоніл-хлорид (Li-SOCl2)
Розмір: "Крона"
Напруга, В: 9 В
Примітка: 1200 mAh, Температура експлуатації: -60... +85 °C
Форма: Призматична
Ємність, мА·год: 1200 мА·год
у наявності: 157 шт
  • 136 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 16 шт
  • 16 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+390.00 грн
10+365.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Флюс-гель AF-28 50 мл
Код товару: 130638
11 Додати до обраних Обраний товар
Флюс-гель AF-28 50 млФлюс-гель AF-28 50 мл
Флюс-гель AF-28 50 млФлюс-гель AF-28 50 мл
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс
Опис: Флюс універсальний. Використовується для пайки алюмінію, металевих контактів, плат і металоконструкцій: мідних, залужених, залізних, нікелевих, бронзових, латунних, оцинкованих поверхонь, нержавіючих сталей та інших сплавів.
Вага/Обʼєм/К-сть: 50 мл
Консистенція: Паста-гель
у наявності: 101 шт
  • 100 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 12 шт
  • 12 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+260.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W
Код товару: 49988
Додати до обраних Обраний товар
ds30206-datasheet.pdf
BSS138W
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 94643 шт
  • 84550 шт - склад
  • 2522 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2018 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2871 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2682 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN74HC02D
Код товару: 30050
4 Додати до обраних Обраний товар
description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74hc02
SN74HC02D
Виробник: TI
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SOIC-14
Опис: Логічні елементи 4-канальний 2-вхідний
Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
Живлення, В: 2...6 В
Температура, °С: -40...+85°С
Тип логіч. елемента: NOR (АБО-НІ)
у наявності: 295 шт
  • 283 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 30 шт
  • 30 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.10 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.