Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3710ZSTRLPBF

IRF3710ZSTRLPBF

irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
Код товару: 218330
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3710ZSTRLPBF за ціною від 60.11 грн до 170.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 11323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.11 грн
10+105.55 грн
100+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 11323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.11 грн
10+105.55 грн
100+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Li-Ion 600мАг, 9В, «Крона» Quantum літій-іонний акумулятор USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Код товару: 193753
10 Додати до обраних Обраний товар
Li-Ion 600мАг, 9В, «Крона» Quantum літій-іонний акумулятор USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Крона» Quantum літій-іонний акумулятор USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Крона» Quantum літій-іонний акумулятор USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Li-Ion 600мАг, 9В, «Крона» Quantum літій-іонний акумулятор USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Крона» Quantum літій-іонний акумулятор USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2Li-Ion 600мАг, 9В, «Крона» Quantum літій-іонний акумулятор USB type-C USB-C/Li-ionCR9V-600-PB2
Виробник: Quantum
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: «Крона»
Ємність, мА·год: 600 мА·год
Форма: призматична
Напруга, В: 9 В
Відмінності: З роз'ємом USB type C
у наявності: 27 шт
  • 18 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+295.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Батарейка "Крона" літієва 9V 1шт. SAFT LS9V|06180E
Код товару: 155529
Додати до обраних Обраний товар
ls_9v31080-saft-datasheet.pdf
Батарейка "Крона" літієва 9V 1шт. SAFT LS9V|06180E
Виробник: SAFT
Батарейки
Матеріал: літій-тіоніл-хлорид (Li-SOCl2)
Розмір: "Крона"
Напруга, В: 9 В
Примітка: 1200 mAh, Температура експлуатації: -60... +85 °C
Форма: Призматична
Ємність, мА·год: 1200 мА·год
у наявності: 165 шт
  • 136 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+390.00 грн
10+365.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SN74HC02D
Код товару: 30050
3 Додати до обраних Обраний товар
description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74hc02
SN74HC02D
Виробник: TI
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SOIC-14
Опис: Логічні елементи 4-канальний 2-вхідний
Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
Живлення, В: 2...6 В
Температура, °С: -40...+85°С
Тип логіч. елемента: NOR (АБО-НІ)
у наявності: 520 шт
  • 508 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.10 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HIP4081AIBZ
Код товару: 28771
Додати до обраних Обраний товар
hip4081a-datasheet
HIP4081AIBZ
Виробник: Intersil
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-20
Напруга живлення Uc, В: 80 В
Вихідний струм Io ±, А: 2,5 А
Вихідна напруга Vout, В: 9-15 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 40/30 ns
Примітка: Повний міст Vcc=15V
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+165.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.