Технічний опис IRF3711ZS IR
Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V.
Інші пропозиції IRF3711ZS за ціною від 24.80 грн до 27.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3711ZS Код товару: 99472
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 20 V Idd,A: 65 A Rds(on), Ohm: 6,0 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2150/16 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||
 |
IRF3711ZS | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF3711ZS Код товару: 99472
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 20 V
Idd,A: 65 A
Rds(on), Ohm: 6,0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/16
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 20 V
Idd,A: 65 A
Rds(on), Ohm: 6,0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/16
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 27.50 грн |
| 10+ | 24.80 грн |
| IRF3711ZS |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.