IRF3717PBF
Код товару: 26533
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3717PBF IR
- MOSFET, N, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:20V
- On State Resistance:0.0044ohm
- Power Dissipation:2.5W
- Transistor Case Style:SOIC
- No. of Pins:8
- Case Style:SOIC
- Cont Current Id:20A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:160A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:IRF3717PBF
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:20V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF3717PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3717PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF3717PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 22nC |
товару немає в наявності |