IRF3717PBF
Код товару: 26533
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0044 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2890/22
Примітка: -
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3717PBF IR
- MOSFET, N, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:20V
- On State Resistance:0.0044ohm
- Power Dissipation:2.5W
- Transistor Case Style:SOIC
- No. of Pins:8
- Case Style:SOIC
- Cont Current Id:20A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:160A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:IRF3717PBF
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:20V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF3717PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3717PBF | ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3717PBF - IRF3717 - N CHANNEL MOSFETtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF3717PBF |
|
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3717PBF - IRF3717 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3717PBF - IRF3717 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)