Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3717PBF
IRF3717PBF

IRF3717PBF

IRF3717PBF.pdf
Код товару: 26533
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 20 V
Струм стоку Idd, A: 20 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2890/22
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 12 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3717PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:20V
  • On State Resistance:0.0044ohm
  • Power Dissipation:2.5W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:20A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:160A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF3717PBF
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF3717PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3717PBF IRF3717PBF Infineon Technologies IRF3717PbF.pdf description Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717PBF IRF3717PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3717_DataSheet_v01_01_EN-1732439.pdf description MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717PBF description IRF3717PbF.pdf
IRF3717PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717PBF description Infineon_IRF3717_DataSheet_v01_01_EN-1732439.pdf
IRF3717PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.