IRF3717PBF
Код товару: 26533
Виробник: IRUds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3717PBF IR
- MOSFET, N, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:20V
- On State Resistance:0.0044ohm
- Power Dissipation:2.5W
- Transistor Case Style:SOIC
- No. of Pins:8
- Case Style:SOIC
- Cont Current Id:20A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:160A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:IRF3717PBF
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:20V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF3717PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3717PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO |
товар відсутній |
|
 |
IRF3717PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 22nC |
товар відсутній |