IRF3805PBF Infineon Technologies
на замовлення 9198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3805PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm.
Інші пропозиції IRF3805PBF за ціною від 97.38 грн до 292.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC |
на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF3805PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF3805PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF3805PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 220A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF3805PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 220A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |