IRF3805PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 162.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
91 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3805PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.
Інші пропозиції IRF3805PBF за ціною від 95.94 грн до 457.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 220A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF3805PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 191.59 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 191.59 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 203.84 грн |
| 500+ | 192.86 грн |
| 1000+ | 183.09 грн |
| 10000+ | 165.96 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 203.84 грн |
| 500+ | 192.86 грн |
| 1000+ | 183.09 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 203.84 грн |
| 500+ | 192.86 грн |
| 1000+ | 183.09 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 213.66 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 214.93 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 315.02 грн |
| 10+ | 200.89 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 322.76 грн |
| 10+ | 101.88 грн |
| 27+ | 95.94 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 376.56 грн |
| 10+ | 205.06 грн |
| 100+ | 148.21 грн |
| 500+ | 142.20 грн |
| 1000+ | 124.89 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 379.77 грн |
| 58+ | 255.76 грн |
| 100+ | 174.28 грн |
| 1000+ | 158.66 грн |
| 2000+ | 145.45 грн |
| 5000+ | 134.25 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 413.70 грн |
| 72+ | 205.00 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 434.15 грн |
| 51+ | 289.88 грн |
| 100+ | 209.89 грн |
| 500+ | 167.98 грн |
| 1000+ | 142.02 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 457.98 грн |
| 50+ | 303.69 грн |
| 100+ | 268.54 грн |
| 200+ | 204.33 грн |
| 500+ | 159.55 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








