IRF3805PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 196.39 грн |
| 500+ | 185.81 грн |
| 1000+ | 176.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3805PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF3805PBF за ціною від 104.97 грн до 441.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 220A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF3805PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 196.39 грн |
| 500+ | 185.81 грн |
| 1000+ | 176.40 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 196.39 грн |
| 500+ | 185.81 грн |
| 1000+ | 176.40 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 197.00 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 197.00 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 214.23 грн |
| 10+ | 134.60 грн |
| 50+ | 108.35 грн |
| 100+ | 104.97 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 314.09 грн |
| 10+ | 200.29 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 329.83 грн |
| 10+ | 168.22 грн |
| 100+ | 118.85 грн |
| 500+ | 118.15 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 355.26 грн |
| 10+ | 235.47 грн |
| 100+ | 167.37 грн |
| 500+ | 153.90 грн |
| 1000+ | 128.70 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 398.78 грн |
| 51+ | 277.22 грн |
| 100+ | 242.26 грн |
| 500+ | 198.69 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 418.28 грн |
| 51+ | 279.29 грн |
| 100+ | 202.22 грн |
| 500+ | 161.84 грн |
| 1000+ | 136.83 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 428.49 грн |
| 50+ | 286.86 грн |
| 100+ | 248.00 грн |
| 500+ | 201.20 грн |
| 1000+ | 178.08 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 429.54 грн |
| 10+ | 287.56 грн |
| 100+ | 248.61 грн |
| 500+ | 201.70 грн |
| 1000+ | 178.52 грн |
| IRF3805PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 441.24 грн |
| 50+ | 292.59 грн |
| 100+ | 258.72 грн |
| 200+ | 196.86 грн |
| 500+ | 153.72 грн |








