IRF3805PBF Infineon Technologies


infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
180+196.39 грн
500+185.81 грн
1000+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3805PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF3805PBF за ціною від 104.97 грн до 441.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies infineonirf3805datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.39 грн
500+185.81 грн
1000+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies infineonirf3805datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.39 грн
500+185.81 грн
1000+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies infineonirf3805datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies infineonirf3805datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+214.23 грн
10+134.60 грн
50+108.35 грн
100+104.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962 Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+314.09 грн
10+200.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3805_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.83 грн
10+168.22 грн
100+118.85 грн
500+118.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON INFN-S-A0012838506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.26 грн
10+235.47 грн
100+167.37 грн
500+153.90 грн
1000+128.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies infineonirf3805datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+398.78 грн
51+277.22 грн
100+242.26 грн
500+198.69 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies infineonirf3805datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+418.28 грн
51+279.29 грн
100+202.22 грн
500+161.84 грн
1000+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies infineonirf3805datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+428.49 грн
50+286.86 грн
100+248.00 грн
500+201.20 грн
1000+178.08 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies infineonirf3805datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.54 грн
10+287.56 грн
100+248.61 грн
500+201.70 грн
1000+178.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF Infineon Technologies infineonirf3805datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+441.24 грн
50+292.59 грн
100+258.72 грн
200+196.86 грн
500+153.72 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
180+196.39 грн
500+185.81 грн
1000+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
180+196.39 грн
500+185.81 грн
1000+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+197.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+197.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF irf3805.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+214.23 грн
10+134.60 грн
50+108.35 грн
100+104.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+314.09 грн
10+200.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF Infineon_IRF3805_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+329.83 грн
10+168.22 грн
100+118.85 грн
500+118.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF INFN-S-A0012838506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+355.26 грн
10+235.47 грн
100+167.37 грн
500+153.90 грн
1000+128.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
36+398.78 грн
51+277.22 грн
100+242.26 грн
500+198.69 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+418.28 грн
51+279.29 грн
100+202.22 грн
500+161.84 грн
1000+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+428.49 грн
50+286.86 грн
100+248.00 грн
500+201.20 грн
1000+178.08 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+429.54 грн
10+287.56 грн
100+248.61 грн
500+201.70 грн
1000+178.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF infineonirf3805datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+441.24 грн
50+292.59 грн
100+258.72 грн
200+196.86 грн
500+153.72 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.