на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.16 грн |
| 10+ | 145.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3808SPBF IR
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF3808SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3808SPBF Код товару: 129658 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
IRF3808SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRF3808SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRF3808SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC |
товар відсутній |