Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3808STRLPBF
IRF3808STRLPBF

IRF3808STRLPBF Infineon Technologies

infineonirf3808sdatasheeten.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+114.56 грн
10+112.74 грн
25+110.91 грн
100+105.20 грн
250+95.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3808STRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF3808STRLPBF за ціною від 88.45 грн до 305.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+116.89 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+122.02 грн
1600+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+130.33 грн
1600+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+141.39 грн
41600+129.83 грн
62400+121.43 грн
83200+111.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.14 грн
500+106.47 грн
1000+97.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 75V
Power dissipation: 200W
Pulsed drain current: 550A
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.98 грн
5+179.14 грн
10+163.93 грн
25+144.50 грн
50+130.13 грн
100+116.61 грн
125+112.38 грн
250+98.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.15 грн
10+168.37 грн
100+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF3808S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.73 грн
10+182.45 грн
100+111.62 грн
500+88.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.21 грн
10+205.57 грн
100+144.14 грн
500+106.47 грн
1000+97.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+305.63 грн
62+211.79 грн
65+201.05 грн
100+146.01 грн
250+101.77 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.