Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3808STRLPBF
IRF3808STRLPBF

IRF3808STRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3808STRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF3808STRLPBF за ціною від 85.83 грн до 296.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+102.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+108.44 грн
10+106.96 грн
25+105.47 грн
100+100.28 грн
250+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+111.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+116.78 грн
106+115.19 грн
108+113.58 грн
109+107.99 грн
250+98.56 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.39 грн
500+111.12 грн
1000+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+184.64 грн
68+179.76 грн
100+129.33 грн
500+112.95 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 550A
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.63 грн
10+90.43 грн
28+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.54 грн
10+179.09 грн
100+130.39 грн
500+111.12 грн
1000+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF
Код товару: 148871
Додати до обраних Обраний товар

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.19 грн
10+183.15 грн
100+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 550A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.16 грн
10+112.69 грн
28+103.00 грн
800+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3808S_DataSheet_v01_01_EN-3362915.pdf MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.11 грн
10+201.36 грн
25+164.79 грн
100+125.07 грн
250+124.33 грн
500+111.09 грн
800+98.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.