Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3808STRLPBF

IRF3808STRLPBF

irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Код товару: 148871
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF3808STRLPBF за ціною від 97.83 грн до 274.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.80 грн
107+133.24 грн
250+127.94 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.92 грн
10+134.35 грн
25+133.80 грн
100+128.48 грн
250+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.49 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+151.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+170.02 грн
1600+154.94 грн
2400+149.35 грн
4000+137.97 грн
5600+124.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.44 грн
5+203.96 грн
10+179.92 грн
25+153.39 грн
50+135.98 грн
100+121.88 грн
125+117.73 грн
250+106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.32 грн
10+173.19 грн
100+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3808S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808STRLPBF
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+131.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+131.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+133.80 грн
107+133.24 грн
250+127.94 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+134.92 грн
10+134.35 грн
25+133.80 грн
100+128.48 грн
250+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+145.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+146.49 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+151.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF infineonirf3808sdatasheeten.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+170.02 грн
1600+154.94 грн
2400+149.35 грн
4000+137.97 грн
5600+124.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.44 грн
5+203.96 грн
10+179.92 грн
25+153.39 грн
50+135.98 грн
100+121.88 грн
125+117.73 грн
250+106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.32 грн
10+173.19 грн
100+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF 1915327.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF Infineon-IRF3808S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF 1915327.pdf
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF3808STRLPBF
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+160.29 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.