Інші пропозиції IRF3808STRLPBF за ціною від 92.49 грн до 355.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF3808STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF3808STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 75A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 381 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3808STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF3808STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF3808STRLPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
IRF3808STRLPBF |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|