Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRF40DM229
IRF40DM229

IRF40DM229 International Rectifier

INFN-S-A0002272331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF40DM229 International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MF, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF40DM229 за ціною від 91.81 грн до 242.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF40DM229 IRF40DM229 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002272331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF40 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229 IRF40DM229 Виробник : Infineon Technologies 448infineon-irf40dm229-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a15.pdf IRF40DM229 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 159A 6-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+143.36 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229 IRF40DM229 Виробник : Infineon Technologies 448infineon-irf40dm229-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a15.pdf IRF40DM229 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 159A 6-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+143.36 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229 IRF40DM229 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF40DM229-DS-v02_00-EN-1101539.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.14 грн
100+180.21 грн
250+138.31 грн
500+122.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229 IRF40DM229 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF40DM229-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a15c899160ea Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229 IRF40DM229 Виробник : Infineon Technologies 448infineon-irf40dm229-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a15.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 159A 6-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40DM229 IRF40DM229 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF40DM229-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a15c899160ea Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.