Технічний опис IRF40H210 Infineon / IR
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5406 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF40H210
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF40H210 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 201A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF40H210 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRF40H210 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 201 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.7 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF40H210 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5406 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |