Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IRF40H233ATMA1
IRF40H233ATMA1

IRF40H233ATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

3179319.pdf Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF40H233ATMA1 - IRF40H233 - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
455+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF40H233ATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4.

Інші пропозиції IRF40H233ATMA1 за ціною від 75.77 грн до 75.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF40H233ATMA1 IRF40H233ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf40h233-datasheet-v02_03-en.pdf N-Channel Power MOSFET
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1 IRF40H233ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf40h233-datasheet-v02_03-en.pdf N-Channel Power MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf40h233-datasheet-v02_03-en.pdf MOSFET-StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40H233ATMA1 Виробник : Infineon Technologies MOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.