Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF40H233XTMA1 Infineon Technologies
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: StrongIRFET™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 32A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 50W, Case: PQFN5X6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.2mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IRF40H233XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF40H233XTMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 8TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-900 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF40H233XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: StrongIRFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 32A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 50W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF40H233XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-900
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-900
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF40H233XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.