IRF40R207 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 23.33 грн |
| 4000+ | 20.70 грн |
| 6000+ | 19.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF40R207 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF40R207 за ціною від 23.05 грн до 92.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF40R207 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF40R207 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC On-state resistance: 5.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A Power dissipation: 83W |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF40R207 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V |
на замовлення 7923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF40R207 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF40R207 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRF40R207 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRF40R207 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF40R207 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 915+ | 38.43 грн |
| 1000+ | 35.44 грн |
| IRF40R207 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 80.71 грн |
| 7+ | 60.78 грн |
| 10+ | 52.79 грн |
| 50+ | 36.48 грн |
| IRF40R207 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.75 грн |
| 10+ | 52.85 грн |
| 100+ | 34.80 грн |
| 500+ | 25.40 грн |
| 1000+ | 23.05 грн |
| IRF40R207 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 152+ | 92.77 грн |
| 202+ | 69.79 грн |
| 299+ | 46.99 грн |
| 500+ | 36.80 грн |
| 1000+ | 30.19 грн |
| IRF40R207 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF40R207 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF40R207 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)