Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF40R207
IRF40R207

IRF40R207 Infineon Technologies

infineon-irf40r207-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF40R207 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF40R207 за ціною від 19.28 грн до 77.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : Infineon Technologies irf40r207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e308f41975 Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.39 грн
4000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf40r207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf40r207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : INFINEON 2354729.pdf Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.22 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.16 грн
42+21.64 грн
114+20.49 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : INFINEON 2354729.pdf Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.61 грн
50+45.36 грн
100+36.22 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.40 грн
42+26.96 грн
114+24.59 грн
1000+24.31 грн
2000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf40r207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+66.46 грн
278+43.82 грн
295+41.38 грн
500+31.45 грн
1000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : Infineon Technologies irf40r207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e308f41975 Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.66 грн
10+44.95 грн
100+33.52 грн
500+25.45 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF40R207_DataSheet_v01_01_EN-3363194.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.32 грн
10+50.13 грн
100+32.51 грн
500+26.71 грн
1000+23.41 грн
2000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf40r207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf40r207-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.