Інші пропозиції IRF40SC240ARMA1 за ціною від 121.00 грн до 345.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF40SC240ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 20039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF40SC240ARMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF40SC240ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF40SC240ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 564A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF40SC240ARMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40SC240ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 417W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF40SC240ARMA1 | Виробник : Infineon |
N-Channel 40 V 360A (Tc) 2.4W (Ta), 417W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IRF40SC240ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF40SC240ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 458 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |