Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF4104PBF
IRF4104PBF

IRF4104PBF Infineon Technologies

infineonirf4104datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+93.94 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF4104PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF4104PBF за ціною від 55.70 грн до 194.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+94.70 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.62 грн
500+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 225204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.62 грн
500+90.56 грн
1000+83.52 грн
10000+71.79 грн
100000+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4104.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Gate charge: 68nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.29 грн
10+73.79 грн
50+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.21 грн
106+133.97 грн
144+98.49 грн
500+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies Infineon-IRF4104-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON 2043160.pdf description Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description infineonirf4104datasheetv0101en.pdf
IRF4104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
647+94.70 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description infineonirf4104datasheetv0101en.pdf
IRF4104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
352+100.62 грн
500+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description infineonirf4104datasheetv0101en.pdf
IRF4104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 225204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
352+100.62 грн
500+90.56 грн
1000+83.52 грн
10000+71.79 грн
100000+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description irf4104.pdf
IRF4104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Gate charge: 68nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+114.29 грн
10+73.79 грн
50+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description infineonirf4104datasheetv0101en.pdf
IRF4104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+194.21 грн
106+133.97 грн
144+98.49 грн
500+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description Infineon-IRF4104-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF4104PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description 2043160.pdf
IRF4104PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.