IRF4104PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 547+ | 66.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
547 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4104PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF4104PBF за ціною від 56.07 грн до 192.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF4104PBF | Infineon Technologies |
  Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 309204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF4104PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF4104PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRF4104PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF4104PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 352+ | 101.29 грн |
| 500+ | 91.16 грн |
| IRF4104PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 309204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 352+ | 101.29 грн |
| 500+ | 91.16 грн |
| 1000+ | 84.08 грн |
| 10000+ | 72.27 грн |
| 100000+ | 56.07 грн |
| IRF4104PBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 113.76 грн |
| 10+ | 73.45 грн |
| 50+ | 62.72 грн |
| 100+ | 57.77 грн |
| IRF4104PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 192.17 грн |
| IRF4104PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 192.17 грн |
| IRF4104PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF4104PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)