IRF4104PBF

IRF4104PBF Infineon Technologies


infineon-irf4104-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF4104PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF4104PBF за ціною від 45.63 грн до 167.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
352+86.38 грн
500+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 352
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
352+86.38 грн
500+77.74 грн
1000+71.70 грн
Мінімальне замовлення: 352
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.10 грн
10+86.06 грн
15+63.16 грн
41+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : INFINEON irf4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3193d1979 Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.55 грн
10+101.18 грн
100+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.11 грн
10+107.25 грн
15+75.80 грн
41+71.06 грн
500+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : Infineon Technologies irf4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3193d1979 Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.61 грн
10+99.56 грн
100+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+158.66 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF4104-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.13 грн
10+108.96 грн
100+69.13 грн
500+56.62 грн
1000+51.16 грн
2000+46.84 грн
5000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.