
IRF4104PBF Infineon Technologies
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 48.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4104PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF4104PBF за ціною від 52.16 грн до 197.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 68nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRF4104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 68nC |
товару немає в наявності |