IRF4104PBF Infineon Technologies
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 50.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4104PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF4104PBF за ціною від 46.19 грн до 170.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF4104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Technology: HEXFET® Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 68nC On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 140W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Technology: HEXFET® Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 68nC On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 140W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF4104PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|