Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF4104S
IRF4104S

IRF4104S

irf4104-datasheet.pdf
Код товару: 99474
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/68
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF4104S за ціною від 59.54 грн до 59.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF4104S IRF4104S Виробник : International Rectifier info-tirf4104s.pdf N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104S IRF4104S Виробник : Infineon Technologies irf4104.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.