Продукція > INFINEON > IRF4104SPBF
IRF4104SPBF

IRF4104SPBF INFINEON

INFN-S-A0012826996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.48 грн
12+77.64 грн
100+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF4104SPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF4104SPBF за ціною від 66.22 грн до 125.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF4104SPBF IRF4104SPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF4104_DataSheet_v01_01_EN-3362905.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.55 грн
10+77.56 грн
100+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBF IRF4104SPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 13156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
248+125.40 грн
500+112.96 грн
1000+103.64 грн
10000+89.48 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBF IRF4104SPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 7598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
248+125.40 грн
500+112.96 грн
1000+103.64 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBF IRF4104SPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf4104-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104SPBF IRF4104SPBF Виробник : Infineon Technologies irf4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3193d1979 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.