IRF4104SPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 79.89 грн |
| 12+ | 77.07 грн |
| 100+ | 74.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4104SPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF4104SPBF за ціною від 65.73 грн до 146.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 13156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 7598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF4104SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF4104SPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |