IRF433 Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Power Dissipation (Max): 75W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF433 Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, Packaging: Bulk, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, Power Dissipation (Max): 75W.
Інші пропозиції IRF433
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF433 | Виробник : International Rectifier |
Description: 4.0A, 450V, 2.0 OHM, N-CHANNEL P Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |