IRF4905LPBF Infineon Technologies
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4905LPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF4905LPBF за ціною від 70.44 грн до 196.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF4905LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF4905LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF4905LPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF4905LPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 7755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF4905LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
на замовлення 3598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905LPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF4905LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |