 
IRF4905STRLPBF Infineon Technologies
 Виробник: Infineon Technologies
                                                Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 800+ | 84.03 грн | 
| 1600+ | 77.21 грн | 
| 2400+ | 75.89 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4905STRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25. 
Інші пропозиції IRF4905STRLPBF за ціною від 73.19 грн до 295.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |  P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. | на замовлення 58400 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |  P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. | на замовлення 58400 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5633 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | на замовлення 2364 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 9886 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2364 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | на замовлення 8287 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |  P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. | на замовлення 1134 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5633 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |  P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. | на замовлення 12 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |  P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. | на замовлення 12 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF Код товару: 173205 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |  P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. | товару немає в наявності |