IRF4905STRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 83.02 грн |
| 1600+ | 76.28 грн |
| 2400+ | 74.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4905STRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF4905STRLPBF за ціною від 77.40 грн до 276.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 8831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Technology: HEXFET® Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 8739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 8831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
на замовлення 11767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Technology: HEXFET® Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon |
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm |
на замовлення 74 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
D2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF Код товару: 173205
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
товару немає в наявності |