Технічний опис IRF4905STRLPBF
- MOSFET, P, 55V, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.02ohm
- Transistor Case Style:D2-PAK
- Alternate Case Style:TO-262AB
- Case Style:D2-PAK
- Cont Current Id:74A
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:260A
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:55V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vds:55V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF4905STRLPBF за ціною від 75.82 грн до 300.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3202 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 10693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 18208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 18208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
на замовлення 4503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 36 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 101.24 грн |
| 1600+ | 90.98 грн |
| 2400+ | 87.67 грн |
| 4000+ | 79.94 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 119.87 грн |
| 1600+ | 118.66 грн |
| 2400+ | 117.48 грн |
| 4000+ | 112.15 грн |
| 5600+ | 92.59 грн |
| 8000+ | 87.99 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 121.92 грн |
| 1600+ | 120.70 грн |
| 2400+ | 119.49 грн |
| 4000+ | 114.07 грн |
| 5600+ | 94.19 грн |
| 8000+ | 89.52 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 142.67 грн |
| 1600+ | 132.88 грн |
| 2400+ | 127.88 грн |
| 4000+ | 117.91 грн |
| 5600+ | 106.22 грн |
| 8000+ | 99.20 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 145.60 грн |
| 1600+ | 135.60 грн |
| 2400+ | 130.50 грн |
| 4000+ | 120.32 грн |
| 5600+ | 108.39 грн |
| 8000+ | 101.24 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.10 грн |
| 10+ | 148.95 грн |
| 25+ | 128.86 грн |
| 50+ | 115.48 грн |
| 100+ | 104.60 грн |
| 250+ | 92.05 грн |
| 500+ | 84.51 грн |
| 800+ | 83.68 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 10693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 283.11 грн |
| 10+ | 178.79 грн |
| 100+ | 125.37 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 300.45 грн |
| 10+ | 210.99 грн |
| 100+ | 154.49 грн |
| 800+ | 118.23 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 300.45 грн |
| 67+ | 210.99 грн |
| 100+ | 154.49 грн |
| 800+ | 118.23 грн |
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 18208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 18208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF4905STRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 36 шт
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 36 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 88.45 грн |
| 108+ | 75.82 грн |
З цим товаром купують
| MIC2940A-3.3WU(мікросхема) Код товару: 47242
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung) Код товару: 149389
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 9490 шт
- 5590 шт - склад
- 3900 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| SN74HC244DW Код товару: 165094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF4905PBF Код товару: 22366
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1854 шт
- 1740 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 14 шт
- 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| 51 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-51R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 19311
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 51 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 51 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується 10.08.2026
на замовлення: 773 шт
- 773 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |











