Технічний опис IRF4905STRLPBF
- MOSFET, P, 55V, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.02ohm
- Transistor Case Style:D2-PAK
- Alternate Case Style:TO-262AB
- Case Style:D2-PAK
- Cont Current Id:74A
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:260A
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:55V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vds:55V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF4905STRLPBF за ціною від 73.90 грн до 287.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 63200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 63200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 19232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5127 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 19232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
на замовлення 17070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 11798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: кількість в упаковці: 36 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Виробник : International Rectifier |
D2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Виробник : JSMSEMI |
D2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Виробник : Infineon |
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| MIC2940A-3.3WU(микросхема) Код товару: 47242
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2,2uF 50V X5R 10% 0805 (CL21A225KBFNNNE-Samsung) Код товару: 149389
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 13100 шт
9100 шт - склад
4000 шт - РАДІОМАГ-Київ
4000 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| 500 Ohm 3296W-1-501-Bourns (потенціометр настроювальний багатооборотний 3/8 "вивідний, регулювання зверху; 9,53х10,03х4,83мм) Код товару: 24252
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Bourns
Підстроювальні резистори > Вивідні
Номінал: 500 Ohm
Серія: 3296W
Опис: настроювальний, вивідний, багатооборотний, регулювання зверху
Габарити: 9,53x10,03x4,83 mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
Підстроювальні резистори > Вивідні
Номінал: 500 Ohm
Серія: 3296W
Опис: настроювальний, вивідний, багатооборотний, регулювання зверху
Габарити: 9,53x10,03x4,83 mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 10.70 грн |
| 100+ | 9.50 грн |
| 1000+ | 8.30 грн |
| 47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 17877
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 3764 шт
3520 шт - склад
111 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
111 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 100uF 35V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR101M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 14639
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.20 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |









