Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF4905STRLPBF

IRF4905STRLPBF

irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
Код товару: 173205
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF4905STRLPBF

  • MOSFET, P, 55V, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Alternate Case Style:TO-262AB
  • Case Style:D2-PAK
  • Cont Current Id:74A
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:260A
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vds:55V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF4905STRLPBF за ціною від 75.82 грн до 324.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.24 грн
1600+119.04 грн
2400+117.85 грн
4000+112.50 грн
5600+92.90 грн
8000+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.24 грн
1600+119.04 грн
2400+117.85 грн
4000+112.50 грн
5600+92.90 грн
8000+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.21 грн
1600+119.99 грн
2400+118.79 грн
4000+113.40 грн
5600+93.61 грн
8000+88.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 59200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.66 грн
1600+120.45 грн
2400+119.24 грн
4000+113.82 грн
5600+93.98 грн
8000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 17927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.20 грн
500+112.71 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.16 грн
10+149.61 грн
25+129.44 грн
50+115.99 грн
100+105.06 грн
250+92.46 грн
500+84.89 грн
800+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 17927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.54 грн
10+168.63 грн
100+122.20 грн
500+112.71 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf description P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+288.74 грн
70+205.39 грн
100+153.27 грн
800+116.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.11 грн
1600+104.35 грн
2400+100.55 грн
4000+90.35 грн
5600+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF4905S_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 7193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.50 грн
10+183.09 грн
100+115.22 грн
500+96.36 грн
800+89.38 грн
2400+83.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Infineon Technologies irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 description Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.44 грн
10+205.00 грн
100+143.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF International Rectifier/Infineon irf4905spbf.pdf description P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 36 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
36+88.45 грн
108+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+120.24 грн
1600+119.04 грн
2400+117.85 грн
4000+112.50 грн
5600+92.90 грн
8000+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+120.24 грн
1600+119.04 грн
2400+117.85 грн
4000+112.50 грн
5600+92.90 грн
8000+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+121.21 грн
1600+119.99 грн
2400+118.79 грн
4000+113.40 грн
5600+93.61 грн
8000+88.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 59200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+121.66 грн
1600+120.45 грн
2400+119.24 грн
4000+113.82 грн
5600+93.98 грн
8000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description 136279.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 17927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+122.20 грн
500+112.71 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+237.16 грн
10+149.61 грн
25+129.44 грн
50+115.99 грн
100+105.06 грн
250+92.46 грн
500+84.89 грн
800+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description 136279.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 17927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+252.54 грн
10+168.63 грн
100+122.20 грн
500+112.71 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description infineonirf4905sdatasheetv0101en.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+288.74 грн
70+205.39 грн
100+153.27 грн
800+116.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+116.11 грн
1600+104.35 грн
2400+100.55 грн
4000+90.35 грн
5600+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description Infineon_IRF4905S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
на замовлення 7193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+283.50 грн
10+183.09 грн
100+115.22 грн
500+96.36 грн
800+89.38 грн
2400+83.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
IRF4905STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+324.44 грн
10+205.00 грн
100+143.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description irf4905spbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 36 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
36+88.45 грн
108+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MIC2940A-3.3WU(микросхема)
Код товару: 47242
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C8051F005-GQR
Код товару: 32865
Додати до обраних Обраний товар
C8051F0xx.pdf
Виробник: SiLabs
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: TQFP-64
Короткий опис: 8-bit Microcontrollers - MCU 32KB 12ADC 64Pin
Живлення, В: 2,7...3,6 V
Тип ядра: 8051
Розрядність: 8-Bit
Частота: 25MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+127.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF193GSZ
Код товару: 29887
Додати до обраних Обраний товар
description REF19XSERIES.pdf
REF193GSZ
Виробник: AD
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SO8
Uin, V: 15 V
Uout,V: 3 V
Iout,A: 0,03 A
Udrop, V: 1,1 V
SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
500 Ohm 3296W-1-501-Bourns (потенціометр настроювальний багатооборотний 3/8 "вивідний, регулювання зверху; 9,53х10,03х4,83мм)
Код товару: 24252
Додати до обраних Обраний товар
3296.pdf
500 Ohm 3296W-1-501-Bourns (потенціометр настроювальний багатооборотний 3/8 "вивідний, регулювання зверху; 9,53х10,03х4,83мм)
Виробник: Bourns
Підстроювальні резистори > Вивідні
Номінал: 500 Ohm
Серія: 3296W
Опис: настроювальний, вивідний, багатооборотний, регулювання зверху
Габарити: 9,53x10,03x4,83 mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+10.70 грн
100+9.50 грн
1000+8.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 35V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR101M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 14639
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
100uF 35V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR101M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
КількістьЦіна
8+2.50 грн
10+2.20 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.